[发明专利]一种图像传感器及其制备方法

说明书

本发明涉及一种图像传感器及其制备方法，该方法包括以下步骤：CMOS处理器芯片的制备，光电二极管芯片的制备，将所述CMOS处理器芯片和所述光电二极管芯片键合在一起，对所述光电二极管芯片进行减薄处理；接着在所述光电二极管芯片上形成减反射薄膜；接着在所述减反射薄膜上形成光刻胶层，接着在所述光刻胶层中形成第一凹槽；接着在所述凹槽中形成栅格结构；接着在每个所述栅格结构所围绕的光刻胶层中形成纵横交错的第二凹槽，然后利用掩膜在在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成金属网格，然后去除所述光刻胶层；接着在每个所述栅格结构所围绕区域中形成滤光器，所述滤光器包裹所述金属网格；接着在每个所述滤光器上形成透镜结构。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。

背景技术

图像传感器从物体接收光信号且将光信号转化为电信号，接着电信号可以被传输用于进一步的处理，诸如数字化，然后在诸如存储器、光盘或磁盘的存储器件中存储，或用于在显示器上显示、打印等。图像传感器通常用于诸如数字相机、摄像机、扫描仪、传真机等装置。

图像传感器像素阵列中，一般包含感光像素阵列和遮光像素阵列两部分，其中，感光像素阵列用来感知并采集图像信息，而遮光像素阵列所采集到的信息用做图像信息处理中的基准信息校准，真实的图像信息等于感光像素阵列所采集的信息减去遮光像素采集的信息，即称为黑电平校准。为了保证黑电平校准的准确性，必须保证感光像素阵列和遮光像素阵列的稳定性。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种图像传感器及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种图像传感器的制备方法，包括以下步骤：

1)CMOS处理器芯片的制备：提供第一半导体晶片，在所述第一半导体晶片上形成多个间隔设置的CMOS功能区，接着在所述第一半导体晶片上形成第一重分布层，在所述第一重分布层上形成第一镶嵌式导电结构。

2)光电二极管芯片的制备：提供第二半导体晶片，在所述第二半导体晶片上形成多个间隔设置的光电二极管功能区，接着在所述第二半导体晶片上形成第二重分布层，在所述第二重分布层上形成第二镶嵌式导电结构。

3)将所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片键合在一起，进而使得所述第一镶嵌式导电结构与相应的第二镶嵌式导电结构相互键合。

4)接着对所述第二半导体晶片进行减薄处理。

5)接着在所述第二半导体晶片上形成减反射薄膜。

6)接着在所述减反射薄膜上形成光刻胶层，接着在所述光刻胶层中形成第一凹槽；接着在所述凹槽中形成栅格结构。

7)接着在每个所述栅格结构所围绕的光刻胶层中形成纵横交错的第二凹槽，然后利用掩膜在在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成金属网格，然后去除所述光刻胶层。

8)接着在每个所述栅格结构所围绕区域中形成滤光器，所述滤光器包裹所述金属网格。

9)接着在每个所述滤光器上形成透镜结构。

作为优选，在所述步骤1)中，所述第一重分布层包括第一介质层，以及形成在所述第一介质层中的一层或多层第一金属互连层，在所述第一重分布层上形成第一镶嵌式导电结构的具体步骤为：在所述第一重分布层上形成第一钝化层，刻蚀所述第一钝化层以形成暴露所述第一金属互连层的第一通孔，接着在所述第一通孔中沉积金属导电材料以形成所述第一镶嵌式导电结构。