[发明专利]系统级封装结构及其制作方法和电子设备

权利要求书

1.一种系统级封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供模板，所述模板开设有通孔；

将导电材料填充于所述通孔内；

提供基板，所述基板设置有焊盘；

经烧结的所述导电材料形成导电柱，所述导电柱的一端与所述焊盘电连接。

2.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，经烧结的所述导电材料形成导电柱，所述导电柱的一端与所述焊盘电连接包括：

将填充有所述导电材料的所述模板转移到所述基板上，使所述通孔与所述焊盘相对应；

然后进行烧结，使所述导电材料形成所述导电柱，所述导电柱的一端与所述焊盘电连接；

去除所述模板。

3.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，经烧结的所述导电材料形成导电柱，所述导电柱的一端与所述焊盘电连接包括：

将填充有所述导电材料的所述模板进行烧结，使所述导电材料形成所述导电柱；

将带有所述导电柱的所述模板转移到所述基板上，使所述通孔与所述焊盘相对应，并使所述导电柱的一端与所述焊盘电连接；

去除所述模板。

4.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，经烧结的所述导电材料形成导电柱，所述导电柱的一端与所述焊盘电连接包括：

将填充有所述导电材料的所述模板转移到所述基板上，使所述通孔与所述焊盘相对应；

去除所述模板；

然后进行烧结，使所述导电材料形成所述导电柱，所述导电柱的一端与所述焊盘电连接。

5.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，将导电材料填充于所述通孔内包括：

先将所述模板设置于转移载板上，而后再将所述导电材料填充于所述通孔内。

6.根据权利要求5所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，采用印刷的方式，将所述导电材料填充于所述通孔内。

7.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，所述焊盘包括多个焊盘，所述多个焊盘形成焊盘阵列，所述通孔包括多个通孔，所述多个通孔形成通孔阵列，所述导电柱包括多个导电柱，所述多个导电柱形成导电柱阵列；

所述通孔阵列与所述焊盘阵列相对应配置，以使所形成的所述导电柱阵列与所述焊盘阵列相对应电连接。

8.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面；

在所述基板的所述第一表面安装有一个或多个电子元件，在所述基板的所述第二表面安装有一个或多个电子元件；

在所述基板的所述第一表面和/或所述第二表面设置有所述焊盘。

9.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，所述导电柱包括金属柱、非金属柱或由金属材料和非金属材料复合而成的复合柱。

10.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，所述导电材料包括金属材料、碳素材料或高分子材料中的一种或多种；

所述导电材料的形态包括粉末或膏体。

11.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，所述通孔的开口尺寸范围为10μm-1mm；

所述通孔包括多个通孔，相邻两个所述通孔之间的间距范围为10μm-1mm。

12.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，所述模板的厚度范围为10μm-1mm。

13.根据权利要求1所述的系统级封装结构的制作方法，其特征在于，所述烧结的温度为100℃-280℃。