[发明专利]一种显示基板、其制作方法及显示装置在审
| 申请号: | 202010736544.X | 申请日: | 2020-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN111863909A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 陈善韬;李良坚;盖人荣;孟秋华;赵梦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示基板、其制作方法及显示装置,包括:衬底基板,以及位于衬底基板上的导电层;其中,衬底基板包括:第一显示区,该第一显示区背离显示面的一侧被配置为设置取光模组;导电层包括:多个反射型阳极,以及位于各反射型阳极之间的间隙处且与各反射型阳极一一对应电连接的走线;其中,在第一显示区内的走线为透射型走线。在取光模组为摄像模组时,通过将取光模组所对应第一显示区内的走线设置为透射型走线,避免了走线对光线的遮挡,提高了光线的透过率,从而实现了较好的成像效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,有机电致发光显示器(Organic Light-EmittingDiode,OLED)显示器除了传统的信息展示等作用外,在外形上的要求也在逐步提升,更大屏占比是未来市场的趋势。通过将摄像头等设置在显示器的背面,可以省去摄像头等在显示器正面占用空间,大幅度提升了屏占比,因而屏下摄像技术备受消费者青睐。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种显示基板、其制作方法及显示装置,用以通过提高光线透过率来改善成像效果。
因此,本发明实施例提供的一种显示基板,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的导电层;其中,
所述衬底基板包括:第一显示区,所述第一显示区背离显示面的一侧被配置为设置取光模组;
所述导电层包括:多个反射型阳极,以及位于各所述反射型阳极之间的间隙处且与各所述反射型阳极一一对应电连接的走线;其中,在所述第一显示区内的所述走线为透射型走线。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述反射型阳极包括:层叠设置的第一透光层、反射层和第二透光层。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述第一透光层延伸至所述间隙处,以复用为所述透射型走线。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述第一透光层的厚度与所述第二透光层的厚度之比大于或等于3且小于或等于5。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,还包括:环绕所述第一显示区的第二显示区,在所述第二显示区内的所述走线为反射型走线;
所述第一透光层、所述反射层和所述第二透光层均延伸至所述间隙处,以复用为所述反射型走线。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,还包括:位于所述导电层背离所述衬底基板一侧的像素界定层;
所述像素界定层包括多个像素开口,所述反射型阳极一一对应设置在各所述像素开口内,所述走线在所述衬底基板上的正投影与所述像素界定层的正投影边缘交叠。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,所述像素界定层的折射率大于或等于1.6且小于或等于1.7。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种上述显示基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;所述衬底基板包括:第一显示区,所述第一显示区背离显示面的一侧被配置为设置取光模组;
在所述衬底基板上形成导电层;所述导电层包括:多个反射型阳极,以及与各所述反射型阳极一一对应电连接的走线;其中,在所述第一显示区内的所述走线为透射型走线。
可选地,在本发明实施例提供的上述制作方法中,在所述衬底基板上形成导电层,具体包括:
在所述衬底基板的所述第一显示区和第二显示区依次形成第一透光层、反射层和第二透光层;其中,所述第二显示区环绕所述第一显示区;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010736544.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





