[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，

包含：

磷酸水溶液；以及

由下述化学式1表示的化合物，

化学式1：

在上述化学式1中，

虚线表示单键或双键，

Y₁选自氧及硫，

Y₂选自氧、硫以及羟基，

X选自硫以及磷，

Z选自氢、卤素、烷氧基以及羟基，

A为1至4。

2.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，由上述化学式1表示的化合物选自由下述化学式2至化学式9表示的化合物中，

化学式2：

化学式3：

化学式4：

化学式5：

化学式6：

化学式7：

化学式8：

化学式9：

在上述化学式2至化学式9中，

Y₂选自氧以及硫，

Z以及Y₁的定义如上述化学式1中所示。

3.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液包含100ppm至600000ppm的由上述化学式1表示的化合物。

4.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵以及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。

5.根据权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蚀刻溶液还包含有机类阳离子和氟类阴离子具有离子键合形态的含氟化合物。

6.根据权利要求5所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述有机类阳离子为选自烷基咪唑鎓、二烷基咪唑鎓、烷基吡啶鎓、烷基吡咯烷鎓、烷基磷鎓、烷基吗啉鎓以及烷基哌啶鎓中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的氮化硅膜蚀刻溶液，其特征在于，上述氟类阴离子为选自氟磷酸盐、氟烷基-氟磷酸盐、氟硼酸盐以及氟烷基-氟硼酸盐中的至少一种。

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括通过使用权利要求1所述的氮化硅膜蚀刻溶液来进行蚀刻工序。