[发明专利]具有测试接口的存储装置有效
| 申请号: | 202010694237.X | 申请日: | 2020-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN112242176B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | S·汉纳 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C29/44;G11C29/56 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 测试 接口 存储 装置 | ||
本申请涉及一种具有测试接口的存储装置。一种实例系统包括:主总线,其电耦合到由测试模式信号控制的主多路复用器,以在主物理接口PHY与多个从总线中的一个从总线之间进行选择,其中每一从总线电耦合到由所述测试模式信号控制的相应从多路复用器,以在相应从PHY与所述主总线之间进行选择;多个存储器组件,其中所述多个存储器组件中的每一存储器组件电耦合到以下各项中的一者:所述主总线或所述多个从总线中的一个从总线;以及存储器测试接口,其电耦合到所述主总线。
技术领域
本公开的实施例大体上涉及存储器子系统,且更具体地,涉及管理包含具有不同特性的存储器组件的存储器子系统。
背景技术
存储器子系统可以是存储系统,例如固态驱动器(SSD)或硬盘驱动器(HDD)。存储器子系统可以是存储器模块,例如双列直插式存储器模块(DIMM)、小外形DIMM(SO-DIMM)或非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说,主机系统可使用存储器子系统以在存储器组件处存储数据并从存储器组件中检索数据。
发明内容
在一个方面,本申请提供一种系统,其包括:主总线,其电耦合到由测试模式信号控制的主多路复用器,以在主物理接口(PHY)与多个从总线中的一个从总线之间进行选择,其中每一从总线电耦合到由所述测试模式信号控制的相应从多路复用器,以在相应从PHY与所述主总线之间进行选择;多个存储器组件,其中所述多个存储器组件的每一存储器组件电耦合到以下各项中的一者:所述主总线或所述多个从总线中的一个从总线;以及存储器测试接口,其电耦合到所述主总线。
在另一方面,本申请提供一种集成电路,其包括:衬底;安置于所述衬底上的多个存储器组件,其中所述多个存储器组件中的每一存储器组件电耦合到以下各项中的一者:主总线,或多个从总线中的一个从总线;以及存储器测试接口,其电耦合到所述主总线,其中所述存储器测试接口包括管理所述主总线到以下各项中的一者的选择性电耦合的测试模式信号:主物理接口(PHY)或所述多个从总线中的一个从总线,其中所述测试模式信号进一步管理所述多个从总线中的每一从总线到以下各项中的一者的选择性电耦合:相应从PHY或所述主总线。
在又一方面,本申请提供一种方法,其包括:在存储装置的多个存储器组件中,识别将经由电耦合到所述存储装置的主总线的测试接口存取的存储器组件;在所述存储装置的多个从总线中,识别电耦合到所述存储器组件的从总线;确证管理所述从总线到所述主总线的电耦合的测试模式信号;以及经由所述测试接口存取所述存储器组件。
附图说明
根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图,将更充分地理解本公开。
图1示出了根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。
图2示出了根据本公开的一或多个方面实施的具有测试接口的实例存储装置(例如,经管理NAND装置)。
图3是根据本公开的一些实施例的在测试模式下存取存储器子系统(例如,存储装置)的存储器组件的实例方法的流程图。
图4是本公开的实施例可在其中运行的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010694237.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池监视装置
- 下一篇:芯片封装体和制造芯片封装体的方法





