[发明专利]一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩

说明书

本发明公开了一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，包括保温罩，所述保温罩底部的中间设置有外导流罩，所述外导流罩的内侧设置有内导流罩，所述外导流罩外侧的顶部设置有封气环，所述保温罩顶部的一端设置有观察口，所述观察口内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜，所述保温罩顶部的中间设置有封闭阀，所述封闭阀的顶部设置有副室炉，所述保温罩顶部的两侧铰接有支撑架；本发明装置通过观察口和观察镜的配合下，使视野不受影响，方便工作人员时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况，在支撑架的作用下对副室炉其承托作用，防止副室炉倒塌，同时在取单晶棒时也起到承托的作用。

技术领域

本发明涉及导流罩技术领域，具体为一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩。

背景技术

在单晶的拉制过程中，氩气由上而下吹入硅液表面，因为各石墨件之间以及石墨件与炉体之间存在一定的缝隙，氩气会再次由下而上携带杂质从缝隙处进入液面，因此会影响单晶的成晶以及热场的稳定，产生旁路，导流罩的使用可以弥补石墨件之间的缝隙，并且可以挡住因旁路产生的氩气进入液面，使液面更加洁净和稳定；

现有装置存有以下几点不足：

1、现有导流罩观察口，不能够很好的观察内部，不能时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况。

2、副室炉过长，需要外部安装承托装置对副室炉进行承托，但是现有的承托装置需要多种连接进行固定接连，非常的麻烦。

3、现有的导流罩与导流筒之间密封效果较差，使拉晶一次成晶率与单晶整根率受到影响，成品率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，以解决上述背景技术中提出现有导流罩观察口，不能够很好的观察内部，不能时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况；副室炉过长，需要外部安装承托装置对副室炉进行承托，但是现有的承托装置需要多种连接进行固定接连，非常的麻烦；现有的导流罩与导流筒之间密封效果较差，使拉晶一次成晶率与单晶整根率受到影响，成品率较低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，包括保温罩，所述保温罩底部的中间设置有外导流罩，所述外导流罩的内侧设置有内导流罩，所述外导流罩外侧的顶部设置有封气环，所述保温罩顶部的一端设置有观察口，所述观察口内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜，所述保温罩顶部的中间设置有封闭阀，所述封闭阀的顶部设置有副室炉，所述保温罩顶部的两侧铰接有支撑架。

优选的，所述观察镜与水平方向呈°夹角。

优选的，两组所述支撑架的两端设置有安装板，且安装板的两侧设置有通孔，所述两组通孔之间设置有螺栓。

优选的，所述封气环为橡胶材料。

优选的，所述支撑架的顶部由半圆弧型结构制成。

优选的，所述外导流罩与内导流罩之间设置有保温棉。

优选的，所述观察口处设置有防护玻璃。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩；

1、通过观察口和观察镜的配合下，使视野不受影响，方便工作人员时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况；

2、通过支撑架的作用下对副室炉其承托作用，防止副室炉倒塌，同时在取单晶棒时也起到承托的作用，有效的防止了单晶棒的断裂；

3、通过封气环、内导流罩和外导流罩的作用下，增大导流罩与导流筒的接触面积，使密封效果好，气流更加顺畅，热场更稳定，提高了装置的密闭性，成品率较高。

附图说明

图1为本发明的主视剖视图；