[发明专利]具有功能单元和可重新配置的去耦单元的集成电路

权利要求书

1.一种用于设计集成电路(100)的方法(300)，其特征在于，所述集成电路将构造在单元(110)中，其中所述单元(110)将包括功能单元(120)和备用单元(130)，所述方法(300)具有：

a)设计(312)至少一个功能单元(120)；

b)将多个功能单元(120)放置(314)在针对所述功能单元(120)设计的特别是规则的图案矩阵的相关联的图案位置上；以及

c)将基于栅极的去耦单元(160)放置(320)在所述图案矩阵的剩余图案位置中的至少一个剩余图案位置上并且代替针对所述图案矩阵的所述剩余图案位置中的所述至少一个剩余图案位置能够想到的至少一个备用单元(130)，和/或

d)将基于栅极的去耦单元(160')放置(320')在图案矩阵的图案位置之间的至少一个间隙中并且代替针对所述图案矩阵的图案位置之间的所述至少一个间隙能够想到的至少一个填充单元(140)。

2.根据权利要求1所述的方法(300)，其特征在于，

步骤c)包括将相符的多个基于栅极的去耦单元(160)放置在所述图案矩阵的多个剩余图案位置上并且代替针对所述图案矩阵的所述多个剩余图案位置能够想到的多个备用单元(130)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

步骤d)包括将相符的多个基于栅极的去耦单元(160')放置在所述图案矩阵的图案位置之间的多个间隙中并且代替针对所述图案矩阵的图案位置之间的所述多个间隙能够想到的多个填充单元(140)。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法(300)，

其特征在于，所述至少一个基于栅极的去耦单元(160，160')包括用于形成晶体管(200)的源极区(208)和/或漏极区(210)的至少一个扩散层(214)和部分地布置在所述至少一个扩散层(214)之上的多晶硅层(220)，

其中所述多晶硅层(220)导电地连接到所述基于栅极的去耦单元(160，160')的供电线224，并且所述至少一个扩散层(214)导电地连接到所述基于栅极的去耦单元(160，160')的相对的供电线(226)，

使得优选地在连接到所述供电线(224)的所述多晶硅层(220)与连接到所述相对的供电线(226)的所述扩散层(214)之间创建电容。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法(300)，其特征在于，另外具有：

验证(330)对设计的集成电路的所有设计和工艺方面的要求的满足，包括所述功能单元(120)和所述至少一个基于栅极的去耦单元(160，160')的要求。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法(300)，其特征在于，另外包括：

e)在金属工程改变命令的过程中重新配置(340)所述基于栅极的去耦单元(160，160')中的至少一个基于栅极的去耦单元。

7.根据权利要求6所述的方法(300)，其特征在于，步骤e)包括

e.i)针对所述至少一个基于栅极的去耦单元(160，160')确定(342)合适的新单元功能，以及

e.ii)重新配置(344)所述至少一个基于栅极的去耦单元(160，160')的接触层(234)和金属层(228，232)，以便实施重新配置的至少一个基于栅极的去耦单元(170，170')的确定的新单元功能。

8.根据权利要求6或7所述的方法(300)，其特征在于，所述重新配置(340)所述至少一个基于栅极的去耦单元(160，160')包括

去除所述接触层(232)和/或所述金属层(234)，这创建了所述至少一个基于栅极的去耦单元(160，160')的去耦功能，以及

添加新的接触层(232')和/或金属层(234')，这创建了所述重新配置的至少一个基于栅极的去耦单元(170，170')的期望的合适的新单元功能。