[发明专利]磁吸附机构、蒸镀装置及电子器件的制造装置在审
| 申请号: | 202010626576.4 | 申请日: | 2020-07-02 |
| 公开(公告)号: | CN112185876A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 宫崎圭介;江泽光晴 | 申请(专利权)人: | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李双亮 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吸附 机构 装置 电子器件 制造 | ||
1.一种磁吸附机构,所述磁吸附机构使用磁力使掩模吸附于成膜对象物的表面,所述掩模用于对所述成膜对象物形成所期望的成膜图案,其特征在于,
所述磁吸附机构具备:
多个磁铁,所述多个磁铁相对于所述成膜对象物配置在与所述掩模相反的一侧;以及
背轭,所述背轭安装有多个所述磁铁,并形成磁回路,所述磁回路利用所述磁铁的磁力而产生在朝向所述成膜对象物的方向上吸引所述掩模的吸附力,
所述背轭在与所述磁铁的磁化方向上的端面接触的接触部具有磁阻调整部,所述磁阻调整部通过在与所述端面的至少一部分之间形成幅度可变的空间,或者通过使所述端面的至少一部分向所述接触部的内侧开放,从而能够对所述吸附力进行调整。
2.根据权利要求1所述的磁吸附机构,其特征在于,
所述磁阻调整部具有:
贯通孔,所述贯通孔将所述背轭中的所述接触部与所述接触部的内侧之间贯通;以及
填充构件,所述填充构件能够从所述内侧插入到所述贯通孔中,且由强磁性体构成,
通过调整所述填充构件相对于所述贯通孔的插入量,或者根据是否将所述填充构件插入到所述贯通孔中,对所述吸附力进行调整。
3.根据权利要求2所述的磁吸附机构,其特征在于,
所述贯通孔为螺纹孔,
所述填充构件为能够与所述螺纹孔螺合的螺栓。
4.根据权利要求3所述的磁吸附机构,其特征在于,
所述磁吸附机构还具备螺母,所述螺母用于限制所述螺栓相对于所述螺纹孔的插入量。
5.根据权利要求1所述的磁吸附机构,其特征在于,
所述磁阻调整部具有:
贯通孔,所述贯通孔将所述背轭中的所述接触部与所述接触部的内侧之间贯通;
槽部,所述槽部形成于所述背轭的所述内侧,且所述贯通孔在所述槽部的底部开口;以及
填充构件,所述填充构件能够以将所述贯通孔的所述开口堵塞的方式与所述槽部嵌合,且由强磁性体构成,
根据是否使所述填充构件与所述槽部嵌合,对所述吸附力进行调整。
6.一种磁吸附机构,所述磁吸附机构使用磁力使掩模吸附于成膜对象物的表面,所述掩模用于对所述成膜对象物形成所期望的成膜图案,其特征在于,
所述磁吸附机构具备:
多个磁铁,所述多个磁铁相对于所述成膜对象物配置在与所述掩模相反的一侧;以及
背轭,所述背轭安装有多个所述磁铁,并形成磁回路,所述磁回路利用所述磁铁的磁力而产生在朝向所述成膜对象物的方向上吸引所述掩模的吸附力,
所述背轭在多个所述磁铁的磁化方向上的端面所接触的多个接触部中,包括设置有凹部的接触部,所述凹部在与所述端面的至少一部分之间形成用于调整所述吸附力的空间。
7.根据权利要求6所述的磁吸附机构,其特征在于,
在所述多个接触部中,包括未设置所述凹部的第一接触部。
8.根据权利要求6或7所述的磁吸附机构,其特征在于,
在所述多个接触部中,还包括设置有贯通孔的第二接触部,所述贯通孔以使所述端面的至少一部分向所述接触部的内侧开放的方式贯通所述背轭。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的磁吸附机构,其特征在于,
将设置有所述凹部的接触部设为第三接触部,
在多个所述第三接触部中,包括所述凹部的深度不同的所述第三接触部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





