[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，其包括存储芯片及温度检测模块，所述温度检测模块用于检测所述存储芯片的温度，所述温度检测模块包括：温度检测单元，用于检测所述存储芯片的温度，并输出与所述温度对应的模拟信号；A/D转换模块，包括多个比较单元，所述比较单元包括输入端、参考端和输出端，所述输入端接收所述温度检测单元输出的模拟信号，所述输出端输出数字信号，多个所述比较单元参考端所接收的参考电压非均匀的增加。本发明优点是，利用温度检测模块检测存储芯片温度，避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入稳定性；同时，控制不同电压区域测量精度，从而既能够保证需要精确测量区域的测量精度，又能够提高测量效率。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种半导体装置。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，其存储阵列区由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

温度对存储器写入存在较大影响，在低温环境中，对存储器进行写入时，存在写入时间较长，写入的稳定性不高的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种半导体装置，其能够测量存储芯片的温度，避免存储芯片在低温下启动及运行，缩短写入时间，提高存储芯片写入的稳定性；同时既能够保证需要精确测量区域的测量精度，又能够提高测量效率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，包括存储芯片及温度检测模块，所述温度检测模块用于检测所述存储芯片的温度，所述温度检测模块包括：温度检测单元，用于检测所述存储芯片的温度，并输出与所述温度对应的模拟信号；A/D转换模块，包括多个比较单元，所述比较单元包括输入端、参考端和输出端，所述输入端接收所述温度检测单元输出的模拟信号，所述输出端输出数字信号，多个所述比较单元参考端所接收的参考电压非均匀的增加。

进一步，在预设的参考电压范围内，所述参考电压的增幅小于其他参考电压范围内的参考电压的增幅。

进一步，所述温度检测模块检测的温度达到设定阈值时，所述存储芯片启动。

进一步，所述设定阈值对应阈值电压，所述阈值电压位于预设的所述参考电压范围内。

进一步，所述A/D转换模块还包括电阻单元，所述电阻单元具有多个引出端，多个所述引出端的电压非均匀的增加，所述引出端的电压作为所述比较单元参考端所接收的参考电压。

进一步，所述电阻单元具有第一端及第二端，所述电阻单元的第一端与电源电连接，所述电阻单元的第二端与接地端电连接，所述引出端设置在所述第一端与所述第二端之间。

进一步，所述电阻单元包括多个串联连接的子电阻，所述电阻单元的每一引出端与所述电阻单元的第二端之间间隔的子电阻的数量不同，以使每一引出端的电压不同。

进一步，在所述电阻单元中，相邻的所述引出端之间间隔的子电阻的数量包括相同及不同两种状态，以使得多个所述比较单元参考端所接收的参考电压非均匀的增加。

进一步，在预设的所述参考电压对应的电阻单元区域，相邻的所述引出端之间间隔的子电阻的数量小于其他区域相邻的所述引出端之间间隔的子电阻的数量。

进一步，所述子电阻的电阻值相同。

进一步，所述子电阻为多晶硅电阻，所述子电阻之间通过第一层金属线电连接。

进一步，所述电阻单元通过第二层金属线形成所述引出端。