[发明专利]掩模版传送装置、掩模版处理设备及掩模版传送方法

说明书

本申请涉及一种掩模版传送装置、掩模版处理设备及掩模版传送方法。其中，掩模版传送装置包括：拾取主体，所述拾取主体的下表面为与所述掩模版相对应的拾取面；第一磁性部，所述第一磁性部形成在所述拾取面上，所述第一磁性部与形成在所述掩模版的上表面上的第二磁性部对应设置，所述第一磁性部的磁极与所述第二磁性部的磁极相反；支撑件，所述支撑件设置在所述拾取面上，所述支撑件为多个且分散布置，以使所述掩模版的上表面与所述拾取面之间保持有间距。

技术领域

本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种掩模版传送装置、掩模版处理设备及掩模版传送方法。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

随着现代半导体制造业的发展，光刻技术在芯片制造工艺流程中的作用越来越重要。光刻技术主要是使用光刻机将掩模版上的图形转移到硅片上，掩模版包含了整个硅片的芯片阵列，其在光刻工艺中具有十分重要的作用。

在相关技术中，掩模版处理设备对掩模版进行处理的过程中，经常需要对掩模版进行传送，现有的掩模版的传送是利用真空吸取的方式进行的，具体地，将拾取机构与掩模版的上表面贴合，然后在拾取机构和掩模版的上表面之间产生真空，从而使掩模版吸附在拾取机构上，从而实现掩模版的拾取操作，基于上述拾取操作，进一步完成掩模版的传送过程。

在上述掩模版的传送过程中，掩模版利用真空的吸力紧密贴附在拾取机构上，这种拾取方式一方面容易使掩模版的上表面沾染上微尘，而微尘会在光刻工艺中投影到硅片上形成多余图形，从而破坏芯片电路图形，另一方面真空的吸力如果控制不当，容易导致掩模版发生变形，而这种变形往往是微米量级的，不容易发现却会对电路图形的形成造成影响，导致不良品产生。

发明内容

本申请的第一方面提出了一种掩模版传送装置，其包括：拾取主体，所述拾取主体的下表面为与所述掩模版相对应的拾取面；第一磁性部，所述第一磁性部形成在所述拾取面上，所述第一磁性部与形成在所述掩模版的上表面上的第二磁性部对应设置，所述第一磁性部的磁极与所述第二磁性部的磁极相反；支撑件，所述支撑件设置在所述拾取面上，所述支撑件为多个且分散布置，以使所述掩模版的上表面与所述拾取面之间保持有间距。

本申请的第二方面提出了一种掩模版处理设备，所述掩模版处理设备具有上述的用于掩模版处理设备的掩模版传送装置。

本申请的第三方面提出了一种掩模版传送方法，其基于上述的掩模版传送装置而实施，所述方法包括：

将所述拾取主体移动至所述掩模版的上方，并且使第一磁性部与所述掩模版上的第二磁性部相对；

使所述拾取主体与所述掩模版相互靠近，利用第一磁性部和所述第二磁性部之间的磁力使所述掩模版吸附于所述拾取主体上，其中，吸附在所述拾取主体上的所述掩模版在所述支撑件的作用下与所述拾取面保持间距；

利用所述拾取主体对所述掩模版进行传送。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出具体实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。在整个附图中，用相同的附图标记表示相同的部件。

在附图中：

图1是本申请实施例的掩模版传送装置；

图2是图1中的A-A向的示意图；

图3是本申请实施例的掩模版的示意图。

附图中各标记表示如下：

100：掩模版传送装置；

10：拾取主体；

11：拾取面；