[发明专利]一种改进多腔室设备工艺偏差的装置及方法

说明书

本发明提供了一种改进多腔室设备工艺偏差的装置及方法，该装置设置在多腔室的反应气路上，该装置内部一端采用锥面结构，另一端采用直孔结构。本发明提供的装置及方法结构/操作简单，价格便宜，合理的设置内部孔径可以达到高效的阻隔气体窜流的问题，最终降低腔室间晶圆表面膜厚差异，提高晶圆良品率。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种改进多腔室设备工艺偏差的装置及方法。

背景技术

在半导体制造领域，广泛使用多种气体在晶圆表面反应来完成镀膜或者刻蚀等工艺，现阶段为了提高产能及降低成本，在工艺及清洁腔室时，往往是多腔室共用一组反应气体，这样就形成了腔室间互连互通的回路结构，即在工艺状态下，考虑到腔室间流阻存在差异，反应气体在流向自身腔室时也会通过清洁腔室的回路窜流到其它腔室，这样就造成了腔室间晶圆表面薄膜的厚度存在差异，影响晶圆良率。

针对该问题，现阶段有的采用隔断阀方案，有的采用腔室间独立供气方案来阻止气体窜流到其它腔室，针对隔断阀的技术方案，隔断阀经过长时间使用后会产生颗粒物问题，对于独立供气的方案，必然会增大供气系统的结构，会使得机台过于紧凑和复杂，同时大幅增加机台成本。

发明内容

为了解决上述技术问题，提出了一种改进多腔室设备工艺偏差的装置及方法。该装置结构简单，价格便宜，合理的设置内部孔径可以达到高效的阻隔气体窜流的问题，最终降低腔室间晶圆表面膜厚差异，提高晶圆良品率。

本发明的目的之一提供了一种改进多腔室设备工艺偏差的装置，该装置设置在多腔室的反应气路上，该装置内部一端采用锥面结构，另一端采用直孔结构。

进一步地，所述装置通过定位台阶定位于气路上；

进一步地，所述直孔结构的端面垂直于工艺气体流向；

进一步地，所述锥面结构与直孔结构衔接位置通过圆角倒钝结构相匹配；

进一步地，所述直孔结构的壁厚不小于8mm；

本发明的目的之二提供了一种改进多腔室设备工艺偏差的方法，提供改进多腔室设备工艺偏差的装置，该装置安装于等离子体源出口与工艺气体进口之间的管路中，该装置内部一端采用锥面结构，另一端采用直孔结构；其中直孔结构的壁厚不小于8mm；

通过定位台阶将该装置定位于气路上，台阶的厚度符合的公差要求为0，-0.02。

通过锥面结构将清洁腔室用的F离子导流到腔室；

通过直孔结构的端面垂直于工艺气体流向，阻止工艺气体窜流到另一侧腔室。

本发明的有益效果：

本发明提供的装置及方法结构/操作简单，价格便宜，合理的设置内部孔径可以达到高效的阻隔气体窜流的问题，最终降低腔室间晶圆表面膜厚差异，提高晶圆良品率。

附图说明

为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1是本发明一种改进多腔室设备工艺偏差的装置位置图；

图2是本发明一种减小腔室间膜厚差异的装置截面图；

图3是本发明实施例中相邻腔室间晶圆表面薄膜厚度前后对比图；

图4是本发明实施例中管路外部不同位置外部测温数据。

具体实施方式

如图1所示，为本装置的安装位置示意图，本实施例针对现有技术中工艺气体在腔室间窜流造成的腔室间晶圆表面膜厚差异的问题，提供一种减小腔室间膜厚差异的装置1，主要包括定位台阶、锥面结构2、直孔结构3；通过该装置降低了腔室间晶圆表面膜厚差异，提高了晶圆良品率。