[发明专利]一种改进多腔室设备工艺偏差的装置及方法在审
| 申请号： | 202010563956.8 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN113823545A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 周仁;侯彬;荒见淳一;柴智;安超 | 申请（专利权）人： | 拓荆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 多腔室 设备 工艺 偏差 装置 方法 | ||
1.一种改进多腔室设备工艺偏差的装置，其特征在于，该装置安装于等离子体源出口与工艺气体进口之间的管路中，该装置一端为锥面结构，另一端为直孔结构。
2.根据权利要求1所述的一种改进多腔室设备工艺偏差的装置，其特征在于，所述装置通过定位台阶定位于气路上。
3.根据权利要求2所述的一种改进多腔室设备工艺偏差的装置，其特征在于，所述定位台阶的厚度符合的公差要求为0，-0.02。
4.根据权利要求1所述的一种改进多腔室设备工艺偏差的装置，其特征在于，所述直孔孔径小于该装置两侧外部管路的直径。
5.根据权利要求1所述的一种改进多腔室设备工艺偏差的装置，其特征在于，所述直孔结构的壁厚不小于8mm。
6.根据权利要求1所述的一种改进多腔室设备工艺偏差的装置，其特征在于，所述直孔结构入口侧的侧端面垂直于工艺气体流向。
7.根据权利要求1所述的一种改进多腔室设备工艺偏差的装置，其特征在于，所述锥面结构与直孔结构衔接位置通过圆角倒钝结构相匹配。
8.一种改进多腔室设备工艺偏差的方法，其特征在于，提供改进多腔室设备工艺偏差的装置；该装置安装于等离子体源出口与工艺气体进口之间的管路，其内部一端采用锥面结构，另一端采用直孔结构；其中直孔结构的壁厚不小于8mm；
通过锥面结构将清洁腔室用的F离子导流到腔室；
通过直孔结构的端面垂直于工艺气体流向，从而阻止工艺气体窜流到另一侧腔室。
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