[发明专利]一种带旋转式料架的氧化炉在审
申请号: | 202010548129.1 | 申请日: | 2020-06-16 |
公开(公告)号: | CN111696898A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 徐俊 | 申请(专利权)人: | 杭州易正科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 曹立成 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 旋转 式料架 氧化 | ||
本发明公开了一种带旋转式料架的氧化炉,包括石英管和石英门,石英管的内壁上固定有加热丝,石英门的内侧壁上成型有凸台,凸台插接在石英管内,凸台的内侧端面上成型有圆形的沉台,沉台的内壁上成型有环形的卡槽,所述的石英管内插设有旋转料架;所述石英门的外壁上成型有若干支耳,支耳上插接固定有导向杆,石英管的外壁上成型有若干导向管,导向杆插接在石英管的导向管内。
技术领域
本发明涉及氧化炉的技术领域,更具体地说涉及一种带旋转式料架的氧化炉。
背景技术
在电子半导体集成电路工艺中,氧化是必不可少的一项工艺技术。自从早期人们发现硼、磷、砷、锑等杂质元素在SiO2的扩散速度比Si中的扩散速度慢得多,SiO2膜就被大量用在器件生产中作为选择扩散的掩模,并促进了硅平面工艺的出现。氧化炉制备SiO2膜的过程是Si的一个表面过程,即在氧化炉反应管的高温环境中放入Si,再通入工艺气体O2,与Si原子反应在表面进行反应生产SiO2膜,反应温度越高、时间越长,生长的SiO2膜厚度越厚。但传统的氧化炉内,其Si以片状形式存在,即为硅片,硅片安放在料架上,硅片的部分表面会被料架所遮挡,影响硅片的氧化,从而需要出炉后进行反面处理,其氧化处理较为麻烦,需要能设计不会遮挡硅片表面的料架,从而就不需要出炉后再进炉。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术之不足,而提供了一种带旋转式料架的氧化炉,其能采用料架能实现承载的硅片进行旋转,进而不会长时间遮挡硅片的外表面,实现硅片在氧化炉内一次形氧化。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
一种带旋转式料架的氧化炉,包括石英管和石英门,石英管的内壁上固定有加热丝,石英门的内侧壁上成型有凸台,凸台插接在石英管内,凸台的内侧端面上成型有圆形的沉台,沉台的内壁上成型有环形的卡槽,所述的石英管内插设有旋转料架;所述石英门的外壁上成型有若干支耳,支耳上插接固定有导向杆,石英管的外壁上成型有若干导向管,导向杆插接在石英管的导向管内;
所述的旋转料架包括圆形的右端板和左端板,左端板插接在石英门的沉台并成型有环形的挡边,左端板的挡边上成型有环形的卡环,卡环插接在卡槽内;右端板和左端板之间插设有两根定托杆和一个动托杆,定托杆和动托杆的右端分别成型有第二螺柱和第一螺柱,右端板和左端板分别成型有相对并呈圆弧形的右导向槽和左导向槽,动托杆的第一螺柱和定托杆的第二螺柱分别穿过右端板的右导向槽和右端板螺接有螺母;定托杆和动托杆的右端均螺接有螺栓,螺栓插接在左端板上和左端板的左导向槽内;所述动托杆和定托杆上分别成型有若干道相对的第一环槽和第二环槽;所述右端板的中部固定有石英轴,石英轴穿过石英管插套固定有从动齿轮,从动齿轮和主动齿轮相啮合,主动齿轮插套固定在电机的转轴上,电机固定在电机支架上,电机支架固定在石英门上。
优选的,所述定托杆上第一环槽的数量和动托杆上第二环槽的数量相等,第一环槽或第二环槽分别呈线性均匀分布在定托杆或动托杆上。
优选的,所述动托杆和定托杆绕右端板的中心轴线呈环形均匀分布,右端板上右导向槽的圆弧圆心或左端板上左导向槽的圆弧圆心均位于右端板的中心轴线。
优选的,所述右端板的中心成型有中心孔,石英管的内端面成型有支撑轴,支撑轴上插套有滑动轴承,滑动轴承插接在右端板的中心孔内。
优选的,所述石英管上导向管的内壁上成型有贯穿导向管外侧壁的插槽,插槽内插接有限位杆,限位杆固定在导向杆的后端,所述的导向管上插套有“冂”字形的连接座,连接座的两端固定在限位杆上,连接座螺接有螺钉,螺钉的末端抵靠在导向管上。
优选的,所述的导向杆设有三根,导向杆绕石英管的中心轴线呈环形均匀分布。
优选的,所述石英门的外端面上固定连接有拉手。
本发明的有益效果在于:其采用料架能实现承载的硅片进行旋转,进而不会长时间遮挡硅片的外表面,实现硅片在氧化炉内一次形氧化。
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