[发明专利]预热装置及预热方法有效
| 申请号: | 202010547101.6 | 申请日: | 2020-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN111725100B | 公开(公告)日: | 2023-02-10 |
| 发明(设计)人: | 程旭文 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 预热 装置 方法 | ||
本发明公开一种预热装置及预热方法,预热装置包括预热腔、加热部和红外测温部,所述预热腔用于容纳所述被加热件,所述预热腔的顶部设有测温窗;所述红外测温部设置于所述预热腔之外,所述红外测温部与所述预热腔活动连接;在对所述被加热件预热前或进行预热时,所述红外测温部位于第一位置,所述红外测温部通过所述测温窗测量位于所述预热腔内的所述被加热件的温度;在所述被加热件的温度满足目标温度的情况下,所述红外测温部位于第二位置,所述红外测温部避让所述测温窗。上述技术方案提供的预热装置可以解决目前晶圆在预热过程中预热精度较低,且一旦目标温度发生变化,预热操作过程较为繁琐的问题。
技术领域
本发明涉及半导体加工设备技术领域,尤其涉及一种预热装置及预热方法。
背景技术
在半导体的加工过程中,为了缩短晶圆在反应腔内的加热时间,通常在晶圆被送入反应腔之前先对晶圆进行预热,从而提升晶圆的整体工艺效率,提高产能。
在预热腔中,通常采用加热管通过辐射红外线对晶圆等被加热件进行辐射,通常情况下,托盘通过设置在加热管上方的热偶进行支撑,且热偶还可以对预热腔内的温度进行测量。由于热偶接收的辐射较晶圆等被加热件更多,因而在被加热件初始放入预热腔内的一段时间内,被加热件与热偶存在温差,也就是说,即便在热偶测得的预热腔内的温度满足目标温度时,被加热件的温度也可能尚未达到目标温度,因此,目前通常采用保温加热的方式对被加热件进行加热。即,通过使预热腔内的温度保持于目标温度,且在预热腔内的温度满足目标温度之后,再使被加热件在预热腔内加热预设时长的方式,保证被加热件的温度能够满足目标温度。
但是,采用上述预热方式对晶圆等被加热件进行预热时,即便严格控制保温温度和保温加热时长,完成预热时的被加热件的温度也可能与目标温度存在差异,精度较差;并且,一旦目标温度发生变化时,需要对保温温度和保温加热时间等参数进行更换,操作过程繁琐。
发明内容
本发明公开一种预热装置及预热方法,以解决目前晶圆等被加热件在预热过程中预热精度较低,且一旦目标温度发生变化,预热操作过程较为繁琐的问题。
为了解决上述问题,本发明采用下述技术方案:
第一方面,本发明提供一种预热装置,其包括:
预热腔,所述预热腔用于容纳所述被加热件,所述预热腔的顶部设有测温窗;
加热部;
红外测温部,所述红外测温部设置于所述预热腔之外,所述红外测温部与所述预热腔活动连接;
在对所述被加热件预热前或进行预热时,所述红外测温部位于第一位置,所述红外测温部通过所述测温窗测量位于所述预热腔内的所述被加热件的温度;
在所述被加热件的温度满足目标温度的情况下,所述红外测温部位于第二位置,所述红外测温部避让所述测温窗。
第二方面,本发明提供一种预热方法,应用于上述预热装置,预热方法包括:
在对所述被加热件预热前或进行预热时,移动所述红外测温部至第一位置;
在对所述被加热件进行预热且所述被加热件的温度满足目标温度的情况下,移动所述红外测温部至第二位置。
本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





