[发明专利]一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构和处理工艺

权利要求书

1.一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构的处理工艺，其特征在于：密合结构包括金属隔膜片（1）和容纳金属隔膜片（1）的金属容腔（2），所述金属容腔（2）沿圆周方向形成高凸缘台（3），所述金属隔膜片（1）放置在金属容腔（2）内，所述金属隔膜片（1）的底面接触高凸缘台（3）, 高凸缘台（3）是圆弧形状的,隔膜片厚度为0.1mm，处理工艺包括以下步骤：

金属隔膜片（1）进行退火处理，将金属缓慢加热到一定温度950～1150℃，保持足够时间，然后以适宜的降温速率冷却，降温的速率是：-50～-70℃/s，降温的同时缓慢的充入高纯度氩气；

金属容腔（2）沿圆周方向形成的高凸缘台（3），高凸缘台（3）与金属容腔（2）内侧壁之间的夹角为锐角，对高凸缘台（3）进行真空淬火处理，真空淬火的真空度1×10^-9 Torr，炉温800-1000℃，再进行打磨抛光，表面粗糙度Ra＜10 Micro Inch，再测定硬度值HRC60以上。

2.根据权利要求1所述的一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构的处理工艺，其特征在于：高凸缘台（3）与金属容腔（2）内侧壁之间的锐角为45°。

3.根据权利要求1所述的一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构的处理工艺，其特征在于：所述隔膜片采用不锈钢SUS316L，硬度值HV200。

4.根据权利要求1所述的一种应用在半导体阀门的金属对金属直接密合结构的处理工艺，其特征在于：所述隔膜片采用哈氏合金，硬度值HV400。