[发明专利]半导体结构的分析方法及分析装置

权利要求书

1.一种半导体结构的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一待测样品，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同；

检测所述叠层的特征参数，获得多个特征值，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；

将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，以相邻所述检测膜层之间的界面作为相邻的所述沉积膜层之间的界面；

判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，检测所述叠层的特征参数之前，还包括如下步骤：

获取所述待测样品的图像；

根据所述图像获取所述待测样品的缺陷信息。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，所述图像为透射电子显微镜图像；

所述缺陷信息至少包括缺陷在所述叠层上方的缺陷区域的位置。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，所述特征参数为硬度；获得多个特征值的具体步骤包括：

检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的硬度，获得多个硬度值。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，所述特征参数为反射光强度；获得多个特征值的具体步骤包括：

检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的反射光强度，获得多个反射光强度值。

6.根据权利要求3所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，所述叠层上方还包括位于所述缺陷区域外部的外围区域；判断所述界面是否平坦的具体步骤包括：

选定一界面作为目标界面；

判断位于所述缺陷区域正下方的所述目标界面与位于所述外围区域正下方的所述目标界面是否处于同一水平高度，若否，则确认所述目标界面不平坦。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的分析方法，其特征在于，判断所述界面是否平坦的具体步骤包括：

判断所述界面是否存在凹陷或凸起，若是，则判断所述凹陷或凸起的幅度是否大于预设值，若是，则确认所述界面不平坦。

8.一种半导体结构的分析装置，其特征在于，包括：

检测模块，用于检测一待测样品中叠层的特征参数，获得多个特征值，所述待测样品包括衬底以及位于所述衬底表面的所述叠层，所述叠层包括沿垂直于所述衬底的方向叠置的多个沉积膜层，所有所述沉积膜层的材料均相同，且至少存在两个相邻的所述沉积膜层的致密度不同，所述特征参数为能够表征致密度的物理参数；

获取模块，连接所述检测模块，用于将差值在一阈值范围内的若干个所述特征值对应的区域划分为同一检测膜层，以相邻所述检测膜层之间的界面作为相邻的所述沉积膜层之间的界面；

判断模块，连接所述获取模块，用于判断所述界面是否平坦，若否，则确认在所述界面处存在缺陷。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，还包括：

成像模块，用于获取所述待测样品的图像，根据所述图像能够获取所述待测样品的缺陷信息。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，所述图像为透射电子显微镜图像；

所述缺陷信息至少包括缺陷在所述叠层上方的缺陷区域的位置。

11.根据权利要求8所述的半导体结构的分析装置，其特征在于，所述特征参数为硬度；

所述检测模块包括硬度测量仪，所述硬度测量仪用于检测所述叠层内部沿垂直于所述衬底的方向排布的多个区域的硬度，以获得多个硬度值。