[发明专利]一种基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池

权利要求书

1.一种基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池，其特征在于，包括设于底部的背面电极、设于顶部的正面电极、以及设于二者之间的N个叠置的石墨烯基异质结单电池，其中N≥2，在相邻的每两个单电池之间均设置有隧穿层；所述的石墨烯基异质结单电池为由下而上设置的石墨烯/半导体层，N个单电池中的半导体层均不相同，每个单电池均采用直接键合的方式设置在前一级单电池上的隧穿层上；上述太阳能电池可倒置。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池，所述的石墨烯基异质结单电池中的半导体层选自Ge、GaAs、AlGaAs、GaInP、InGaN、GaInAs、GaInAsP、AlGaInP、CdTe、CZTS。

3.根据权利要求1所述的基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池，其特征在于，所述的N个叠置的单电池自下而上应按照各单电池中半导体层的禁带宽度从小向大排列。

4.根据权利要求1所述的基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池，其特征在于，所述的石墨烯基异质结单电池中石墨烯的厚度为0.4纳米至10纳米。

5.根据权利要求1所述的基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池，其特征在于，所述的隧穿层选自均选自ITO、或重掺杂的AlGaAs、GaInP、GaAs、GaInAs、GaInAsP、AlGaInP或CdTe等半导体中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的基于石墨烯/半导体异质集成的多结太阳能电池，其特征在于，所述的背面电极与所接触的石墨烯之间、所述的正面电极与所接触的半导体层之间均形成欧姆接触，选自金、钯、银、钛、铜、铂、铬、镍、ITO、FTO、AZO的一种或者几种的复合。