[发明专利]二极管结构的制造方法

权利要求书

1.一种二极管结构的制造方法，其特征在于，包含：

形成一第一堆叠在一基板上的一硅层上，其中该第一堆叠自该硅层按递升次序包含一第一半导体层、一上电极层及一相变化材料层；

形成相对的多个第一侧壁间隔物，沿着且覆盖该第一堆叠的两侧壁，其中该相变化材料层的一顶表面曝露出；

以所述多个第一侧壁间隔物及该相变化材料层做为遮罩，选择性蚀刻该硅层至一第一预定深度，从而形成一第二堆叠，其中剩余的该硅层包含一硅底板，该第二堆叠包含：自该硅底板凸起的一第一硅部、以及该第一堆叠；

形成相对的多个第二侧壁间隔物，沿着且覆盖该第二堆叠的两侧壁，其中该顶表面曝露出；

以所述多个第二侧壁间隔物及该相变化材料层做为遮罩，选择性蚀刻该硅底板，从而形成一第三堆叠在该基板上，其中该第三堆叠包含：位于该第一硅部下方的一第二硅部、以及该第二堆叠；以及

以所述多个第二侧壁间隔物为罩幕，进行一侧向电浆离子植入，以在该第二硅部中形成一掺杂区，其中该掺杂区与该第一半导体层的电性不同。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该第一硅部的多个侧壁分别与所述多个第一侧壁间隔物的多个侧壁在垂直方向上对齐。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该第二硅部的多个侧壁分别与所述多个第二侧壁间隔物的多个侧壁在垂直方向上对齐。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成该第一堆叠在该基板上的该硅层上包含：

形成一母硅层在该基板上；

执行一离子植入制程于该母硅层的一顶面，以在该母硅层的该顶面至一深度之间形成该第一半导体层，且余留的该母硅层是为该硅层；

形成该上电极层于该第一半导体层上；

形成该相变化材料层于该上电极层上；以及

图案化该第一半导体层、该上电极层及该相变化材料层为该第一堆叠。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，还包含：

在形成该第一堆叠之前，先形成一下电极在该基板上，以致该下电极位于该基板与该硅层之间。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，还包含：

进行该侧向电浆离子植入之后，移除未被该第三堆叠覆盖的该下电极。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多个第一侧壁间隔物的一顶表面曝露出。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该相变化材料层为包含一相变化材料层的单层或复层。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该第一半导体层具有剂量介于10E16atom/cm²至10E20 atom/cm²之间。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该掺杂区具有剂量介于10E16 atom/cm²至10E20 atom/cm²之间。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述多个第一侧壁间隔物及所述多个第二侧壁间隔物的厚度各在1nm至5nm的范围内。