[发明专利]一种应用于显示屏的LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010461643.1 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111584691B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;刘英策;邬新根;黄瑄;周弘毅 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/44;H01L33/00;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 显示屏 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种应用于显示屏的LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面的外延片，所述外延片包括层叠的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，且所述外延片的第一区域曝露所述N型氮化镓层部分表面；
位于所述P型氮化镓层表面的复合导电层，所述复合导电层包括层叠的欧姆接触层和至少两层透明导电层；
位于所述复合导电层一侧的第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述复合导电层表面且延伸至覆盖所述N型氮化镓层裸露区域部分表面；
与所述P型氮化镓层电连接的P电极以及与所述N型氮化镓层裸露区域电连接的N电极；
其中，所述至少两层透明导电层中各透明导电层的致密性沿预设方向逐渐降低，从而在对至少两层透明导电层进行刻蚀，所述复合导电层仅位于所述P型氮化镓层表面时，使得所述复合导电层靠近所述第一区域的侧面到所述第一区域之间的距离沿预设方向逐渐增大，所述预设方向由所述欧姆接触层指向所述透明导电层；所述复合导电层中靠近所述第一区域的侧面与所述第一区域形成的角度的取值范围为140度～160度，包括端点值。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述复合导电层具有第一通孔，所述第一通孔曝露所述P型氮化镓层表面，所述P电极通过所述第一通孔与所述P型氮化镓层电连接；
所述第一通孔的侧壁与所述第一通孔底部所形成的角度的取值范围为140度～160度，包括端点值。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述欧姆接触层的厚度取值范围为50埃～200埃，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极覆盖所述第一钝化层部分表面。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极覆盖所述第一钝化层表面的区域占所述N电极整体区域的比例取值范围为10％～50％，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层的材料为SiO2、SiNx或Al2O3。
7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，如果所述第一钝化层为SiNx层，所述第一钝化层的折射率取值范围为1.46～1.48，包括端点值；
如果所述第一钝化层为SiO2层，所述第一钝化层的折射率取值范围为1.9～2.0，包括端点值；
如果所述第一钝化层为Al2O3层，所述第一钝化层的折射率取值范围为1.7～1.8，包括端点值。
8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：
位于所述复合导电层背离所述衬底一侧的第二钝化层，所述第二钝化层完全覆盖所述外延片和所述复合导电层，所述第二钝化层具有第二通孔和第三通孔，所述第二通孔曝露所述P电极部分表面，所述第三通孔曝露所述N电极部分表面；
通过所述第二通孔与所述P电极电连接的P电极焊盘；
通过所述第三通孔与所述N电极电连接的N电极焊盘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010461643.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
