[发明专利]高波长一致性的LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法有效
| 申请号: | 202010458914.8 | 申请日: | 2020-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN111653509B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
| 发明(设计)人: | 史伟言;徐良;刘建哲;夏建白;张磊;李昌勋 | 申请(专利权)人: | 黄山博蓝特半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/66;H01L33/00 |
| 代理公司: | 杭州凌通知识产权代理有限公司 33316 | 代理人: | 叶绿林 |
| 地址: | 245000 安徽省黄山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 波长 一致性 led 芯片 图形 蓝宝石 衬底 刻蚀 方法 | ||
1.一种高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法,其特征在于包括以下步骤:
S1:在晶片上涂覆一层光刻胶,并曝光、显影形成有胶柱的掩膜;
S2:准备一刻蚀托盘,刻蚀托盘上用于放置晶片的载片台采用一种材料制得,将晶片固定放置在刻蚀托盘上,并送入刻蚀机内对晶片进行刻蚀,从而在晶片上形成一组图形,获得图形化蓝宝石衬底;
S3:对获得的图形化蓝宝石衬底进行检测,获得晶片刻蚀速率的分布情况;
S4:托盘调整,对晶片刻蚀速率慢的区域,在其下方的刻蚀托盘区域镀一层导热系数比托盘本体导热系数高的金属材料;对晶片刻蚀速率快的区域,在其下方的刻蚀托盘区域镀一层导热系数比托盘本体导热系数低的金属材料;其余位置镀与托盘材料一致的金属,使其平整,得到调整后的托盘结构;
S5:在调整后的托盘上放置晶片并进行刻蚀,得到图形一致性的图形化蓝宝石衬底;
所述步骤S4中托盘的具体结构包括托盘本体(1)及与托盘本体(1)相配合用于压住晶片的上盖(2),所述托盘本体(1)上间隔设置有一组用于放置晶片的载片台(3),所述晶片上设置有定位凹口,所述载片台(3)的外圈上设置有与单口晶片相适配的凹口(301),所述载片台(3)的外围还设置有环形凹槽(4),所述环形凹槽(4)内设置有可上下浮动的定位凸台(5),所述定位凸台(5)上设置有与凹口(301)相适配的凸起(501),晶片的定位凹口卡在定位凸台(5)内实现定位;
所述定位凸台(5)包括环状本体(502)和设置在环状本体(502)外壁上的一组支脚(503),所述支脚(503)包括与环状本体(502)连接的连接杆(5031)和设置在连接杆(5031)上的限位柱(5032),所述托盘本体(1)上设置有与限位柱(5032)相适配的定位孔(101),所述连接杆(5031)与托盘本体(1)间设置有复位弹簧(6);
所述上盖(2)上设置有一组与载片台(3)相适配的让位孔(201),所述让位孔(201)的圆周上设置有一组向让位孔中心凸出并压在单口晶片上的压脚(202)。
2.如权利要求1所述的高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法,其特征在于:所述步骤S3采用全自动光学目检机进行检测,根据全自动目检机检测晶片图像颜色的不同,反映出刻蚀图形尺寸的不同,从而得出晶片不同区域的刻蚀速率。
3.如权利要求1所述的高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法,其特征在于:所述托盘本体(1)和载片台(3)采用导热系数为237W/mk的铝,所述比托盘本体导热系数低的金属材料为导热系数为125.1W/mk的黄铜,比托盘本体导热系数高的金属材料为导热系数为350.1W/mk的黄铜。
4.如权利要求3所述的高波长一致性LED芯片用图形化蓝宝石衬底的刻蚀方法,其特征在于:所述导热系数为125.1W/mk的黄铜及导热系数为350.1W/mk的黄铜的层厚为0.1~2mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





