[发明专利]形成对准标记的方法

说明书

本发明公开一种形成对准标记的方法，其包含提供一晶片，然后形成一光致抗蚀剂层覆盖晶片，之后进行一曝光显影制作工艺，移除部分的光致抗蚀剂层，剩余的光致抗蚀剂层形成一图案化光致抗蚀剂层，接续进行一硬烤制作工艺，固化图案化光致抗蚀剂层，使得图案化光致抗蚀剂层成为一对准标记，其中对准标记包含氧化硅，最后将晶片放置在一机台上以对准标记为对准记号，定位晶片和机台之间的相对位置。

技术领域

本发明涉及一种形成对准标记的方法，特别是涉及一种利用曝光显影的方式形成对准标记的方法。

背景技术

在半导体制作工艺中，光刻装置被用来在晶片上形成所需电路图案。通常光致抗蚀剂涂布在晶片后将光照向光掩模上所欲曝光的电路图案，以将前述电路图案转印至在晶片上的光致抗蚀剂，其中光掩模具有布局图案。现有光刻装置包含所谓的光刻步进机，光刻步进机将光投向整个电路图案，以在每一曝光步骤，将电路图案转印至晶片上的一曝光区域(shot)。现有光刻装置也包含扫描机(scanner)，扫描机在每一曝光步骤中同步移动光掩模和晶片，并让扫描光照射部分电路图案，以逐步将电路图案转印至晶片上的曝光区域。为准确地将电路图案投射于晶片上所要位置，晶片在曝光前必须先对准，为对准晶片，晶片上必须形成有对准标记(alignment mark)。

曝光机(例如步进机或扫描机)以激光检测晶片上的对准标记并进行影像处理，并对晶片来做定位，曝光机可经由对准结果来决定晶片位置，并经由调整透镜组合，移动晶片平台或光掩模将晶片定位到正确位置，以确保曝光动作的可靠性。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种便利简单的方式来形成对准标记。根据本发明的一优选实施例，一种形成对准标记的方法，包含提供一晶片，然后形成一光致抗蚀剂层覆盖晶片，之后进行一曝光显影制作工艺，移除部分的光致抗蚀剂层，剩余的光致抗蚀剂层形成一图案化光致抗蚀剂层，接续进行一硬烤制作工艺，固化图案化光致抗蚀剂层，使得图案化光致抗蚀剂层成为一对准标记，其中对准标记包含氧化硅，最后将晶片放置在一机台上以对准标记为对准记号，定位晶片和机台之间的相对位置。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的较佳实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1至图4为本发明的一优选实施例所绘示的一种形成对准标记的方法的示意图；

图5至图11为本发明的一优选实施例所绘示的一种形成掺杂区和浅沟槽隔离的方法的示意图。

主要元件符号说明

10:晶片

12:垫氧化硅层

14:光致抗蚀剂层

16:软烤制作工艺

18:曝光制作工艺

20:图案化光致抗蚀剂层

20a:对准标记

22:显影制作工艺

24:硬烤制作工艺

26:机台

28:光掩模

30:图案化掩模

32:离子注入制作工艺

34:掺杂区

36:氮化硅层

38:机台

40:光掩模

42:图案化光致抗蚀剂层

44:浅沟槽