[发明专利]形成对准标记的方法

权利要求书

1.一种形成对准标记的方法，包含：

提供晶片；

形成光致抗蚀剂层覆盖该晶片；

进行曝光显影制作工艺，移除部分的该光致抗蚀剂层，剩余的该光致抗蚀剂层形成图案化光致抗蚀剂层；

进行一硬烤(hard bake)制作工艺，固化该图案化光致抗蚀剂层，使得该图案化光致抗蚀剂层成为一对准标记，其中该对准标记包含氧化硅；

将该晶片放置在机台上以该对准标记为对准记号，定位该晶片和该机台之间的相对位置；

在定位该晶片和该机台之间的相对位置之后，形成图案化掩模覆盖该对准标记以及部分的该晶片；

以该图案化掩模为掩模进行离子注入制作工艺以在该晶片中形成掺杂区；以及

移除该图案化掩模。

2.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，另包含：

在定位该晶片和该机台之间的相对位置之后，形成图案化掩模覆盖该对准标记以及部分的该晶片；

以该图案化掩模为掩模进行蚀刻制作工艺以在该晶片中形成浅沟槽；

形成浅沟槽绝缘层覆盖该图案化掩模并且填入该浅沟槽；以及

移除该图案化掩模，并且保留该对准标记，其中余留在该浅沟槽中的该浅沟槽绝缘层作为浅沟槽隔离。

3.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，另包含：

在进行该曝光显影制作工艺之前，对该光致抗蚀剂层进行软烤(Soft Bake)制作工艺，其中该软烤制作工艺的温度为110℃以下。

4.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其中该硬烤制作工艺的温度为250℃以上。

5.如权利要求1所述的形成对准标记的方法，其中该对准标记凸出于该晶片的表面。