[发明专利]石墨烯增强散热半导体封装工艺及半导体产品及电子产品

说明书

本发明公开一种石墨烯增强散热半导体封装工艺及半导体产品及电子产品，封装工艺包括以下步骤：S1、上芯，提供基板并在所述基板上设置芯片，电连接所述芯片与所述基板；S2、第一次涂布，于设置有芯片的基板上涂布绝缘胶，形成绝缘胶层；S3、第二次涂布，于所述绝缘胶层表面涂布散热层。本方案中通过两次分别涂布绝缘胶层以及散热层使得产品封装可采用具有高散热性能的材料，依靠其的优良散热性能可以提高半导体产品的散热效果，设置绝缘胶可以有效的避免石墨烯散热层延伸至芯片与基板之间造成短路。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种石墨烯增强散热半导体封装工艺。

背景技术

半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料，半导体元件根据半导体材料的特性，属于固态元件，其体积可以缩小到很小的尺寸，因此耗电量少，集成度高，在电子技术领域获得了广泛的引用，而随着半导体元件运行功率的逐渐增加，散热性能成为半导体元件的重要指标之一，在这样的高热量工作环境下，保持半导体元件的工作可靠性是一个非常重要的问题。

发明内容

本发明实施例的目的在于：提供一种石墨烯增强散热半导体封装工艺，其能够解决现有技术中存在的上述问题。

为达上述目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，提供一种石墨烯增强散热半导体封装工艺，包括以下步骤：

S1、上芯，提供基板并在所述基板上设置芯片，电连接所述芯片与所述基板；

S2、第一次涂布，于设置有芯片的基板上涂布绝缘胶，形成绝缘胶层；

S3、第二次涂布，于所述绝缘胶层表面涂布散热层。

作为所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺额一种优选的技术方案，所述散热层为石墨烯散热层或高散热碳化材料。

作为所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺额一种优选的技术方案，所述绝缘胶采用低粘度绝缘胶，以保证绝缘胶能够进入到所述芯片与所述基板之间的缝隙中。

作为所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺额一种优选的技术方案，所述散热层的材料粘度大于所述绝缘胶的粘度。

作为所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺额一种优选的技术方案，于所述第二次涂布完成之后还包括步骤固化，固化温度在100℃至190℃之间，固化时长大于等于30分钟。

作为所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺额一种优选的技术方案，所述基板为PCB，所述芯片采用倒装的方式设置在所述基板上，所述芯片与所述PCB上的电路之间通过锡球电连接。

作为所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺额一种优选的技术方案，一次涂布完成后所述绝缘胶延伸至所述芯片与所述PCB之间的空间中，并包覆所述锡球。

作为所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺额一种优选的技术方案，所述封装工艺在晶圆级产品上进行，二次涂布并固化完成后进行切割形成单个半导体产品。

另一方面，提供一种半导体产品，采用如上所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺进行封装。

再一方面，提供一种电子产品，具有采用如上所述的石墨烯增强散热半导体封装工艺加工而成的半导体产品。

本发明的有益效果为：本方案中通过两次分别涂布绝缘胶层以及散热层使得产品封装可采用具有高散热性能的材料，依靠其的优良散热性能可以提高半导体产品的散热效果，设置绝缘胶可以有效的避免石墨烯散热层延伸至芯片与基板之间造成短路。

附图说明

下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

图1为本发明实施例所述石墨烯增强散热半导体封装工艺流程图。