[发明专利]一种局部带宽增强的转接板封装结构及制作方法

权利要求书

1.一种局部带宽增强的转接板封装结构，包括：

基板；

第一介质层，所述第一介质层设置在所述基板的上面；

芯片，所述芯片的正面朝上埋入设置在所述第一介质层中，所述芯片具有第一焊盘和相对第一焊盘尺寸更大的第二焊盘；

第二介质层，所述第二介质层设置成覆盖所述第一介质层和所述芯片；

第一金属通孔，所述第一金属通孔贯穿所述第二介质层，电连接至所述芯片的第一焊盘；

第二金属通孔，所述第二金属通孔贯穿所述第二介质层，电连接至所述芯片的第二焊盘；

阻焊层，所述阻焊层覆盖所述第二介质层和所述第二金属通孔，并漏出所述第一金属通孔的外接焊盘；以及

转接板，所述转接板倒装焊接至所述第一金属通孔的外接焊盘上，

其中所述基板还包括基板金属化过孔、基板金属层，所述芯片设置在所述基板金属层上方，第三金属通孔贯穿所述第二介质层和所述第一介质层，电连接至所述基板的所述金属化过孔，

其中所述转接板外置完成所述芯片间在局部区域的互联。

2.如权利要求1所述的局部带宽增强的转接板封装结构，其特征在于，所述第一介质层和或所述第二介质层的材料为光敏性质的介质材料。

3. 如权利要求1所述的局部带宽增强的转接板封装结构，其特征在于，所述芯片的数量为N，其中N ≥ 2。

4.如权利要求1所述的局部带宽增强的转接板封装结构，其特征在于，所述第一金属通孔的直径不大于40微米。

5.如权利要求1所述的局部带宽增强的转接板封装结构，其特征在于，所述转接板具有至少一层重新布局布线层和高密度焊接结构，所述高密度焊接结构的尺寸与所述第一金属通孔的尺寸匹配。

6. 如权利要求1所述的局部带宽增强的转接板封装结构，其特征在于，所述转接板上的高密度焊接结构为铜柱（Copper Pillar）和位于铜柱头部的焊锡层构成。

7.一种局部带宽增强的转接板封装结构的制作方法，包括：

在带金属过孔和表面金属层的基板上形成第一介质层；

在第一介质层中形成芯片埋入腔；

在芯片埋入腔内贴片埋入芯片，所述芯片具有第一焊盘和相对第一焊盘尺寸更大的第二焊盘，所述芯片设置在所述表面金属层上方；

在芯片和第一介质层上形成第二介质层；

贯穿第二介质层中形成连通芯片第一焊盘的第一通孔和连通芯片第二焊盘的第二通孔，贯穿第二介质层和第一介质层中形成连接基板金属过孔的第三通孔；

对第一通孔、第二通孔、第三通孔进行金属化导电填充，形成第一金属通孔、第二金属通孔和第三金属通孔；

在第二介质层上表面和第一金属通孔、第二金属通孔、第三金属通孔顶部焊盘上形成阻焊层，并在第一金属通孔位置形成阻焊层开口，漏出高密度焊盘；以及

将转接板倒装焊接至高密度焊盘，形成高密度互连区域，其中所述转接板外置完成所述芯片间在局部区域的互联。

8. 如权利要求7所述的局部带宽增强的转接板封装结构的制作方法，其特征在于，埋入所述芯片的数量为M，其中M ≥ 2，所述转接板具有至少一层重新布局布线层和高密度焊接结构，所述高密度焊接结构的尺寸与所述高密度焊盘的尺寸匹配。