[发明专利]一种用于非易失性存储器的操作方法、装置及存储介质

说明书

一种用于非易失性存储器的操作方法、装置及存储介质。方法包括选取多个存储单元并进行第一读取操作，以根据第一电流阈值确定第一读取结果；对多个存储单元进行第二读取操作，以根据第二电流阈值确定第二读取结果；第二电流阈值大于第一电流阈值；对多个存储单元进行第三读取操作，以根据第三电流阈值确定第三读取结果；第三电流阈值小于第一电流阈值；对第一读取结果和第二读取结果不一致的存储单元进行改写操作，使读取电流都大于第二电流阈值；对第一读取结果和第三读取结果不一致的存储单元进行改写操作，使读取电流都小于第三电流阈值。本发明可对未被访问的存储单元进行数据恢复，并降低电路开销和功耗，同时不会产生额外的时延。

技术领域

本发明涉及非易失性存储器技术领域，特别涉及一种用于非易失性存储器的操作方法、装置及存储介质。

背景技术

随着工艺节点的降低以及芯片面积的增大，芯片容量得到了显著的提升，在现有的非易失性存储器中，通常包含几千至几十亿个存储单元，由于工艺的不一致性，以及其他各种各样的外界因素，将不可避免地导致其中的个别存储单元产生数据错误。

以阻变存储器(Resistive Random Access Memory，RRAM)为例，RRAM是一种非易失性存储器，可以通过阻值的变化来实现数据的区分，若电阻的阻值发生漂移，则其中存储的数据可能会跟着发生变化，从而产生数据错误。例如，一个存储单元的阻值为A，存储的数据为“0”，当该存储单元发生阻值漂移后，阻值变为B，存储的数据也变为“1”，可以看出，数据发生了翻转，产生了数据错误。类似的，存储单元中的数据也可以由“1”变为“0”。

通常情况下，阻值漂移是缓慢连续的，往往不是在某一个时刻突然跳跃式发生，即数据不会突然由一个强壮的“1”变成强壮的“0”，或是由强壮的“0”变成强壮的“1”，而是缓慢地发生变化。例如，由强壮的“1”变成弱“1”，此时还是一个正确的数据，但随着阻值进一步漂移，到了某一个阶段，就是“1”和“0”之间的模糊地带，这时数据就会发生错误了。再到下一个阶段，可能会漂移到一个弱“0”，此时数据彻底发生错误，除非借助外界纠错机制，否则已经无法纠正。

目前，在存储器电路中，为了解决上述的阻值漂移导致的数据错误，通常会在系统中加一个ECC纠错机制，外加一些冗余资源，完成对存储数据少量错误的纠正。但是这种方式存在着一些缺陷。例如：硬件开销和功耗开销较大，而且会在每次存取时，带来额外的时延，此外，现有的方法是在错误发生后去纠正，这样存储单元中的错误数据并没有被纠正，只是在送给外界接收端时被纠正了而已，随着存储单元中的错误数据越来越多，终会超过ECC纠错机制的能力上限。因此，亟需一种用于非易失性存储器的操作方法，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于非易失性存储器的操作方法、装置及存储介质，以对未被访问的存储单元进行数据恢复，并降低电路开销和功耗。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种用于非易失性存储器的操作方法，包括：

从非易失性存储器中选取多个存储单元；

对所述多个存储单元进行第一读取操作，得到各个存储单元的第一读取结果；所述第一读取结果根据第一电流阈值以及存储单元的读取电流确定；

对所述多个存储单元进行第二读取操作，得到各个存储单元的第二读取结果；所述第二读取结果根据第二电流阈值以及存储单元的读取电流确定；所述第二电流阈值大于所述第一电流阈值；

对所述多个存储单元进行第三读取操作，得到各个存储单元的第三读取结果；所述第三读取结果根据第三电流阈值以及存储单元的读取电流确定；所述第三电流阈值小于所述第一电流阈值；

获取所述第一读取结果和第二读取结果不一致的存储单元，得到第一待校正存储单元；

获取所述第一读取结果和第三读取结果不一致的存储单元，得到第二待校正存储单元；