[发明专利]一种用于非易失性存储器的操作方法、装置及存储介质

权利要求书

1.一种用于非易失性存储器的操作方法，其特征在于，包括：

从非易失性存储器中选取多个存储单元；

对所述多个存储单元进行第一读取操作，得到各个存储单元的第一读取结果；所述第一读取结果根据第一电流阈值以及存储单元的读取电流确定；

对所述多个存储单元进行第二读取操作，得到各个存储单元的第二读取结果；所述第二读取结果根据第二电流阈值以及存储单元的读取电流确定；所述第二电流阈值大于所述第一电流阈值；

对所述多个存储单元进行第三读取操作，得到各个存储单元的第三读取结果；所述第三读取结果根据第三电流阈值以及存储单元的读取电流确定；所述第三电流阈值小于所述第一电流阈值；

获取所述第一读取结果和第二读取结果不一致的存储单元，得到第一待校正存储单元；

获取所述第一读取结果和第三读取结果不一致的存储单元，得到第二待校正存储单元；以及

对所述第一待校正储存单元和所述第二待校正存储单元进行改写操作，使所述第一待校正储存单元的读取电流都大于所述第二电流阈值，使所述第二待校正存储单元的读取电流都小于所述第三电流阈值。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，在第一读取操作中，读取电流大于等于所述第一电流阈值的存储单元的读取结果为第一数据，读取电流小于所述第一电流阈值的存储单元的读取结果为第二数据；在第二读取操作中，读取电流大于等于所述第二电流阈值的存储单元的读取结果为第一数据，读取电流小于所述第二电流阈值的存储单元的读取结果为第二数据；在第三读取操作中，读取电流大于等于所述第三电流阈值的存储单元的读取结果为第一数据，读取电流小于所述第三电流阈值的存储单元的读取结果为第二数据。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其特征在于，在接收到预定指令后，执行所述操作方法，所述预定指令包括：

芯片上电指令、芯片复位指令、对指定区域的存储单元的数据改写指令或数据读取指令、间隔预定周期的全盘刷新指令。

4.根据权利要求3所述的操作方法，其特征在于，在接收到所述对指定区域的存储单元的数据改写指令或数据读取指令的情况下，从所述指定区域之外的其他区域选取所述多个存储单元。

5.根据权利要求3所述的操作方法，其特征在于，还包括：

在接收到所述对指定区域的存储单元的数据读取指令的情况下，将需要进行改写操作的存储单元的地址保存至状态寄存器中，并在接收到用户手动执行的刷新指令后，根据所述状态寄存器中保存的各个存储单元的地址，将对应的存储单元进行改写。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在将需要进行改写操作的存储单元的地址保存至状态寄存器后，还包括：发送预定的提示信息，以提示所述用户执行所述刷新指令。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述非易失性存储器中选取的存储单元的数量根据以下条件确定：

在运行所述方法的次数小于等于预定次数的情况下，遍历完所述非易失性存储器中的全部存储单元，和/或，运行所述方法的时长小于预定时长。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括：阻变存储器、相变存储器以及磁存储器。