[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管的制作方法，采用一次构图工艺形成薄膜晶体管的源极、漏极和栅极。本发明的技术方案能够减小制作薄膜晶体管的构图工艺次数，降低薄膜晶体管的生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置。

背景技术

现有技术中需要利用较多的构图工艺制作薄膜晶体管，导致薄膜晶体管的制备周期较长，生产成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置，能够降低薄膜晶体管的生产成本。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种薄膜晶体管的制作方法，采用一次构图工艺形成薄膜晶体管的源极、漏极和栅极。

本发明的可选实施例中，所述采用一次构图工艺形成薄膜晶体管的源极、漏极和栅极包括：

形成金属图形，通过干刻工艺对所述金属图形的部分区域进行氧化处理，经过氧化处理的金属图形变为绝缘图形，所述绝缘图形将所述金属图形分割为所述薄膜晶体管的源极、漏极和栅极。

本发明的可选实施例中，所述制作方法具体包括：

在衬底基板上形成遮光金属层；

形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成有源层；

在所述有源层上形成栅绝缘层；

形成金属层，在所述金属层上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光显影后形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；

去除所述光刻胶完全去除区域的金属层，形成所述金属图形；

去除所述光刻胶部分保留区域的光刻胶，对所述光刻胶部分保留区域的金属图形进行氧化，形成所述绝缘图形，所述绝缘图形将所述金属图形分割为所述薄膜晶体管的源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接；

去除所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管，采用如上所述的制作方法制作得到，所述薄膜晶体管的源极、漏极和栅极同层同材料设置。

本发明的可选实施例中，所述源极、漏极和栅极采用金属材料制作，所述金属材料选自Al、Mo、Mn和Cu中的至少一种。

本发明的可选实施例中，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧，所述源极和所述栅极之间设置有绝缘图形，所述漏极和所述栅极之间设置有绝缘图形，所述绝缘图形为金属氧化物。

本发明的可选实施例中，所述薄膜晶体管具体包括：

位于衬底基板上的遮光金属层；

位于所述遮光金属层远离所述衬底基板一侧的缓冲层；

位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的有源层，位于所述有源层两侧的源漏极接触区；

位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的栅绝缘层，所述源漏极接触区在所述衬底基板上的正投影与所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影部分重叠；

位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板一侧的所述源极、漏极和栅极，所述源极和所述栅极之间设置有所述绝缘图形，所述漏极和所述栅极之间设置有所述绝缘图形。

本发明的可选实施例中，所述源极、漏极和栅极的厚度为3000～7000埃。