[发明专利]一种新型TFT结构及制作方法

说明书

本发明公开了一种新型TFT结构的制作方法，制作第一绝缘层，第一通孔，并与所述第一通孔内制作第三金属层，第三金属层为环形柱型；制作第二绝缘层，于第二绝缘层内制作第二通孔、侧壁有源层；所述侧壁有源层环绕所述第三金属层的内侧面；于侧壁有源层顶部制作第二金属层，侧壁有源层的顶部两端分别连接有一第二金属层。通过第一金属层，以及有源层。有效利用第一金属层侧表面与有源层形成有源层导电通道，提高TFT器件反应速率与开态电流，同时缩减TFT尺寸，有利于在超高分辨率面板中的应用。并且提供的TFT结构，在器件受到拉伸以及弯折时形变量更小，且可以更好的分散形变产生的应力，使器件保持为稳定，利于未来制造可弯折或可拉伸面板。

技术领域

发明涉及TFT器件制造领域，尤其涉及一种新型TFT结构及制作方法。

背景技术

近年来产商也不断发布8K显示面板以及搭载超高分辨率显示器的VR眼镜。从市场反应来看，4K分辨率、曲面屏、超宽比已经成为消费者关注的重点，未来显示器也将会继续朝着高分辨率化、曲面化、超宽比化发展。对于电视、或是VR，决定体验的一个重要因素就是PPD(pixel per degree)，即每视野角度能感知的像素数量。一个标准视力1.0的人，最佳PPD要达到60才能完全无屏幕颗粒感。要提升VR应用的沉浸式体验，分辨率必须达到8K以上才能改进当前VR头显普遍存在的“纱门效应”，未来甚至进一步提升至12K、24K。因此，随着面板高分辨率化发展，如何缩小画素以及画素背后所依靠的TFT器件尺寸成了需要攻克的难题。

发明内容

为此，需要提供一种新型TFT结构及制作方法，以缩减画素背后所依靠的TFT器件的尺寸。

为实现上述目的，发明人提供了一种新型TFT结构的制作方法，制作第一绝缘层，第一通孔，并与所述第一通孔内制作第三金属层，第三金属层为环形柱型；

制作第二绝缘层，于第二绝缘层内制作第二通孔、侧壁有源层；所述侧壁有源层环绕所述第三金属层的内侧面；

于侧壁有源层顶部制作第二金属层，侧壁有源层的顶部两端分别连接有一第二金属层。

进一步地，在所述“制作第一绝缘层，第一通孔，并与所述第一通孔内制作第三金属层”包括步骤：

涂布第一绝缘层，并蚀刻制得第一通孔；

于第一通孔侧壁沉积第三金属层。

进一步地，还包括步骤：

涂布第二绝缘层，并于第二绝缘层上蚀刻制得第二通孔；

沉积第一金属层于通孔内。

进一步地，还包括步骤：制作钝化层。

进一步地，在进行所述“制作第二绝缘层，于第二绝缘层内制作第二通孔、侧壁有源层”步骤的同时制作底部有源层。

发明人还提供了一种新型TFT结构，包括：基板和所述基板上的第三金属层、有源层、第二金属层；

所述第三金属层置于基板上，第三金属层为顶部开口、内部中空的柱形结构，第三金属层的底面与基板上表面平行；第三金属层套设于所述有源层外周，有源层为顶部开口、内部中空的柱形结构，有源层开口方向与第三金属层开口方向相同；且所述有源层与第三金属层之间设置有绝缘层；有源层的侧壁顶部两端分别连接有一第二金属层。

进一步地，还包括：钝化层，所述钝化层置于所述一种新型TFT结构顶层，用于保护TFT结构。

进一步地，还包括：第一金属层；

所述第一金属层为柱形结构，所述有源层的内侧侧壁环绕所述第一金属层的侧面，所述有源层的侧壁与第一金属层的侧面之间形成有源层电通道，且通道内还设有绝缘层。

进一步地，所述第一金属层的顶部凸出第二金属层的上表面。