[发明专利]一种新型TFT结构及制作方法在审
| 申请号： | 202010396462.5 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111599682A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/34;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 tft 结构 制作方法 | ||
1.一种新型TFT结构的制作方法，其特征在于，制作第一绝缘层，第一通孔，并与所述第一通孔内制作第三金属层，第三金属层为环形柱型；
制作第二绝缘层，于第二绝缘层内制作第二通孔、侧壁有源层；所述侧壁有源层环绕所述第三金属层的内侧面；
于侧壁有源层顶部制作第二金属层，侧壁有源层的顶部两端分别连接有一第二金属层。
2.根据权利要求1所述一种新型TFT结构的制作方法，其特征在于，在所述“制作第一绝缘层，第一通孔，并与所述第一通孔内制作第三金属层”包括步骤：
涂布第一绝缘层，并蚀刻制得第一通孔；
于第一通孔侧壁沉积第三金属层。
3.根据权利要求1所述一种新型TFT结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤：
涂布第二绝缘层，并于第二绝缘层上蚀刻制得第二通孔；
沉积第一金属层于通孔内。
4.根据权利要求1或3所述一种新型TFT结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤：制作钝化层。
5.根据权利要求1所述一种新型TFT结构的制作方法，其特征在于，在进行所述“制作第二绝缘层，于第二绝缘层内制作第二通孔、侧壁有源层”步骤的同时制作底部有源层。
6.一种新型TFT结构，其特征在于，包括：基板和所述基板上的第三金属层、有源层、第二金属层；
所述第三金属层置于基板上，第三金属层为顶部开口、内部中空的柱形结构，第三金属层的底面与基板上表面平行；第三金属层套设于所述有源层外周，有源层为顶部开口、内部中空的柱形结构，有源层开口方向与第三金属层开口方向相同；且所述有源层与第三金属层之间设置有绝缘层；有源层的侧壁顶部两端分别连接有一第二金属层。
7.根据权利要求6所述一种新型TFT结构，其特征在于，还包括：钝化层，所述钝化层置于所述一种新型TFT结构顶层，用于保护TFT结构。
8.根据权利要求6所述一种新型TFT结构，其特征在于，还包括：第一金属层；
所述第一金属层为柱形结构，所述有源层的内侧侧壁环绕所述第一金属层的侧面，所述有源层的侧壁与第一金属层的侧面之间形成有源层电通道，且通道内还设有绝缘层。
9.根据权利要求8所述一种新型TFT结构，其特征在于，所述第一金属层的顶部凸出第二金属层的上表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司，未经福建华佳彩有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010396462.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
