[发明专利]磁存储器件

说明书

一种磁存储器件包括：在基板上的下接触插塞；在下接触插塞上的磁隧道结图案；底电极，在下接触插塞和磁隧道结图案之间并与磁隧道结图案的底表面接触；以及顶电极，在磁隧道结图案的顶表面上。底电极、磁隧道结图案和顶电极中的每个在垂直于基板的顶表面的第一方向上具有厚度。底电极的第一厚度是磁隧道结图案的第二厚度的约0.6至1.1倍。

技术领域

本公开涉及半导体器件，具体地，涉及包括磁隧道结的磁存储器件。

背景技术

随着对具有增大的速度和/或降低的功耗的电子装置的需求的增加，会需要具有更快的操作速度和/或更低的操作电压的半导体存储器件。已经提出磁存储器件来满足这样的要求。例如，磁存储器件可以提供诸如高速度和/或非易失性的技术优势，因此磁存储器件可以显现为下一代存储器件。

磁存储器件包括磁隧道结图案(MTJ)。MTJ通常包括两个磁性层和插设在这两个磁性层之间的绝缘层。MTJ的电阻根据所述磁性层的磁化方向而变化。例如，MTJ的电阻在所述磁性层的磁化方向彼此反平行时比在它们彼此平行时更高。这样的电阻差异可以用于磁存储器件的数据存储操作。

发明内容

本发明构思的一实施方式提供具有优良或期望的特性的磁存储器件及其制造方法。

本发明构思的一实施方式提供能够被更容易地制造的磁存储器件及其制造方法。

根据本发明构思的一实施方式，一种磁存储器件可以包括：在基板上的下接触插塞；在下接触插塞上的磁隧道结图案；底电极，在下接触插塞和磁隧道结图案之间并与磁隧道结图案的底表面接触；以及顶电极，在磁隧道结图案的顶表面上。底电极、磁隧道结图案和顶电极中的每个可以在垂直于基板的顶表面的第一方向上具有厚度。底电极的第一厚度可以是磁隧道结图案的第二厚度的约0.6至1.1倍。

根据本发明构思的一实施方式，一种磁存储器件可以包括：在基板上的互连线；接触，在基板和互连线之间并将互连线连接到基板；导电线，在互连线上；磁隧道结图案，在互连线和导电线之间；下接触插塞，在磁隧道结图案和互连线之间并与互连线相邻；底电极，在磁隧道结图案和下接触插塞之间；以及顶电极，在磁隧道结图案和导电线之间。底电极、磁隧道结图案和顶电极中的每个可以在垂直于基板的顶表面的第一方向上具有厚度。底电极的第一厚度可以是磁隧道结图案的第二厚度的约0.6至1.1倍。

根据本发明构思的一实施方式，一种磁存储器件可以包括：在基板上的互连结构，该互连结构包括在垂直于基板的顶表面的第一方向上彼此间隔开的互连线以及在互连线之间的接触；下接触插塞，在互连结构上并且连接到互连线中的最上面的一条；在下接触插塞上的磁隧道结图案；底电极，在下接触插塞和磁隧道结图案之间；在磁隧道结图案上的导电线；以及在磁隧道结图案和导电线之间的顶电极。底电极、磁隧道结图案和顶电极中的每个可以在第一方向上具有厚度。底电极的第一厚度可以是磁隧道结图案的第二厚度的约0.6至1.1倍。

附图说明

从以下结合附图的简要描述，示例实施方式将被更清楚地理解。附图表现了如这里所述的非限制性的示例实施方式。

图1是示出根据本发明构思的一实施方式的磁存储器件的单位存储单元的电路图。

图2是示出根据本发明构思的一实施方式的磁存储器件的平面图。

图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。

图4是图3的部分A的放大图。

图5A和图5B是示出图3的磁隧道结图案的示例的剖视图。

图6至图9是沿着图2的线I-I'截取的剖视图，用于示出根据本发明构思的一实施方式的制造磁存储器件的方法。