[发明专利]非易失性存储器装置及其驱动方法

说明书

一种非易失性存储器装置及其驱动方法，非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且驱动方法包括：对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；若已对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电达第一时间长度或到达各自对应的电压阈值，则对第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；对设置于第一存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点的至少一存储单元进行第一数据操作；对设置于第二存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点的至少一存储单元进行第二数据操作。

技术领域

本发明有关一种非易失性存储器装置的驱动方法，尤指一种能减小突波电流的非易失性存储器装置及其驱动方法。

背景技术

NAND闪存广泛地应用于固态硬盘、移动装置与掌上型游戏机，其具有抗震与传输速度高等等优点。NAND闪存的物理结构依据储存容量由大至小可阶层式地区分为存储芯片(memory chip)、存储器平面(memory plane)、区块(block)与物理页(page)。目前的技术会同步存取多个存储器平面以加快数据传输速度，但这样会使得存储芯片中产生大突波电流，因而可能伤害到相关的电源模块。

发明内容

本发明提供一种非易失性存储器装置的驱动方法，非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且驱动方法包含以下流程：对多个存储器平面中的第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；若已对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电达第一时间长度或到达各自对应的电压阈值，则对多个存储器平面中的第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；对第一存储器平面的至少一存储单元进行第一数据操作，其中第一存储器平面的至少一存储单元设置于第一存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点；对第二存储器平面的至少一存储单元进行第二数据操作，其中第二存储器平面的至少一存储单元设置于第二存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点。

本发明提供一种非易失性存储器装置的驱动方法，非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且驱动方法包含以下流程：对多个存储器平面中的第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；若已对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电达短于第一时间长度的第二时间长度，则对多个存储器平面中的第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电，且继续对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；当已对第一存储器平面预充电达第一时间长度时，对第一存储器平面的至少一存储单元进行第一数据操作，其中第一存储器平面的至少一存储单元设置于第一存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点；当已对第二存储器平面的至少一存储单元预充电达第一时间长度时，对第二存储器平面进行第二数据操作，其中第二存储器平面的至少一存储单元设置于第二存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点。

本发明还提供一种非易失性存储器装置，其包含存储芯片与控制电路。存储芯片包含多个存储器平面。控制电路耦接于存储芯片，且被设置为执行以下运作：对多个存储器平面中的第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；若已对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电达第一时间长度或到达各自对应的一电压阈值，则对多个存储器平面中的第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；对第一存储器平面的至少一存储单元进行第一数据操作，其中第一存储器平面的至少一存储单元设置于第一存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点；对第二存储器平面的至少一存储单元进行第二数据操作，其中第二存储器平面的至少一存储单元设置于第二存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点。

上述的驱动方法与非易失性存储器装置能减少突波电流。

附图说明

图1为根据本发明一实施例的非易失性存储器装置简化后的功能方块图。

图2为依据本发明一实施例的驱动方法的流程图。

图3为依据本发明一实施例的一存储器平面中的部分字线与位线在预充电过程中的波形示意图。

图4为依据本发明一实施例的多个存储器平面的操作时序示意图。