[发明专利]非易失性存储器装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置的驱动方法，该非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且该驱动方法包含：

对该多个存储器平面中的一第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；

若已对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达一第一时间长度或到达各自对应的一电压阈值，则对该多个存储器平面中的一第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；

对该第一存储器平面的至少一存储单元进行一第一数据操作，其中该第一存储器平面的该至少一存储单元设置于该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线的交叉点；以及

对该第二存储器平面的至少一存储单元进行一第二数据操作，其中该第二存储器平面的该至少一存储单元设置于该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线的交叉点。

2.如权利要求1所述的驱动方法，其中，该第一数据操作在一第一时段中进行，该第二数据操作在一第二时段中进行，该第一时段的起点早于该第二时段的起点，且该第一时段与该第二时段至少部分重叠。

3.如权利要求2所述的驱动方法，其中，在已对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达该第一时间长度的情况下，对该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电，且该驱动方法还还包含：

若已对该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达该第一时间长度，则对该多个存储器平面中的一第三存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电。

4.如权利要求1所述的驱动方法，其中，在该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线到达各自对应的该电压阈值的情况下，对该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电，且继续对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电，

其中对该第一存储器平面的该至少一存储单元进行该第一数据操作的流程包含：

当已对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达该第一时间长度时，对该第一存储器平面的该至少一存储单元进行该第一数据操作。

5.如权利要求4所述的驱动方法，还包含：

若该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线到达各自对应的一电压阈值，则对该多个存储器平面中的一第三存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电，且继续对该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电；

其中，对该第二存储器平面的该至少一存储单元进行该第二数据操作的流程包含：

当已对该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达该第一时间长度时，对该第二存储器平面的该至少一存储单元进行该第二数据操作。

6.如权利要求1所述的驱动方法，其中，当对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电时，该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线具有阶梯状的电压波形。

7.一种非易失性存储器装置的驱动方法，该非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且该驱动方法包含：

对该多个存储器平面中的一第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；

若已对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达短于一第一时间长度的一第二时间长度，则对该多个存储器平面中的一第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电，且继续对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电；

当已对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达该第一时间长度时，对该第一存储器平面的至少一存储单元进行一第一数据操作，其中该第一存储器平面的该至少一存储单元设置于该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线的交叉点；以及

当已对该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达该第一时间长度时，对该第二存储器平面的至少一存储单元进行一第二数据操作，其中该第二存储器平面的该至少一存储单元设置于该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线的交叉点。