[发明专利]一种RPS气体解离的漏气检测方法

说明书

本发明提出一种RPS气体解离的漏气检测方法，包括：在反应腔内加工待加工工件；将所述反应腔设置在惰性气体中；向所述反应腔内通入氧气并点燃RPS气体，再检测所述反应腔内混合气体的发射光谱数据；至少多次稳定检测到代表气体的光谱大于参考值时判断反应腔漏气。本发明具有实时监测RPS气体解离时反应腔是否发生泄漏的能力，大大提高了检测的效率且降低了检测的难度，检测的实时性好，有效提高了RPS气体解离时的安全性。

技术领域

本发明涉及漏气检测技术领域，尤其涉及一种RPS气体解离的漏气检测方法。

背景技术

等离子体用于半导体和印刷线路板工业中的各种类型的工业类型工艺中，以及诸如医疗设备和汽车工业中的各种其他工业中。等离子体的一种常见用途是用于在隔离或受控环境中蚀刻掉材料。各种类型的材料可以通过一个或多个等离子体蚀刻，包括玻璃、硅或其他基底材料，有机物如光致抗蚀剂、蜡、塑料、橡胶、生物制剂和植物物质，以及金属如铜、铝、钛、钨和金。等离子体还用于通过各种技术（例如通过化学气相沉积）将诸如有机物和金属的材料沉积到合适的表面上，如溅射操作、表面改性操作。溅射操作可以利用等离子体产生离子，该离子从源（例如，金属或有机物）溅射掉材料并将这些材料沉积到诸如衬底的靶上。表面改性操作使用等离子体，包括诸如表面清洁、表面活化、表面钝化、表面粗糙化、表面平滑、微机械加工、硬化和图案化的操作。

半导体加工设备的反应腔漏气就是需要严格防止的情况之一，因为空气中的N₂、CO₂、水汽及其它气体泄漏到反应腔内都会对反应腔的反应过程和成分造成重大影响，最终造成加工的缺陷，所以需要在半导体或半导体基材处理流程上对空气泄漏故障进行检测和处理。

目前，一般的真空反应腔检漏方法需要先将反应腔抽至低气压，然后用压强计测量压强随时间变化而计算出漏率。这种方法需要占用很长的时间，从而影响产能，另外这种方法不能在生产过程中实时的监控有无泄漏发生。

现有技术还利用在反应腔中点燃等离子体，然后利用等离子体点燃以后反应腔的介电常数发生变化引起的反应腔微弱电压变化（把反应腔看做是一个电容器）来测得该微弱电压值，实现检漏的目的。但是该方法存在准确性较差的缺陷。所以鉴于此，亟需提供一种便于在线检测、且检测准确度高的RPS气体解离的漏气检测方法。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的目的在于提出一种RPS气体解离的漏气检测方法，包括：在反应腔内加工待加工工件；将所述反应腔设置在惰性气体中；向所述反应腔内通入氧气并点燃RPS气体，再检测所述反应腔内混合气体的发射光谱数据；至少多次稳定检测到代表气体的光谱大于参考值时判断反应腔漏气。

较为优选地，通入氧气后一定时间再点燃RPS气体，等所述反应腔内混合气体混合均匀后检测所述混合气体的光谱。

较为优选地，所述代表气体包括氮气或惰性气体。

较为优选地，当所述氮气为代表气体时，其的参考值为其氮气光谱峰值的至少33％、惰性气体光谱峰值的至少33％、二氧化碳光谱峰值的至少33％。

较为优选地，当所述惰性气体为代表气体时，其的参考值为其光谱峰值的至少50％。

较为优选地，还包括：在反应腔上设置有压力变送器，当所述反应腔内压力降低大于5%时，发出漏气报警。

较为优选地，所述惰性气体和所述氧气的纯度不低于99.99%。

较为优选地，所述待加工工件的加工包括化学刻蚀和化学气相沉积。

较为优选地，所述氮气的波长为316nm，337nm，355nm之一。