[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 202010348090.9 | 申请日: | 2020-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN111863883A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 李承宰;徐硕焄;尹大相;李济镐;郑素娟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本公开为了外部光引起的膜改性最小化的显示装置及其制造方法,提供一种显示装置的制造方法,包括:在基板上形成绝缘无机膜的步骤;在所述绝缘无机膜上方形成显示要件的步骤;在所述显示要件上形成第一密闭无机膜的步骤;向所述第一密闭无机膜上照射紫外线(UV)波长的光的步骤;以及在所述第一密闭无机膜上形成密闭有机膜的步骤。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法,更详细而言涉及一种外部光引起的膜改性最小化的显示装置及其制造方法。
背景技术
在显示装置中,有机发光显示装置具有不仅视角宽、对比度优异而且响应速度快的优点,因此作为下一代显示装置备受瞩目。
通常,有机发光显示装置在基板上形成薄膜晶体管以及有机发光元件,有机发光元件通过自发光来工作。这种有机发光显示装置既用作手机等之类小型产品的显示部,也用作电视机等之类大型产品的显示部。
有机发光元件具有易受水分以及氧气影响的特性。因此,可以在有机发光元件上具备封闭层来密封有机发光元件,从而保护有机发光元件免受外部的影响。这种封闭层具有有机膜和无机膜交替层叠的多层结构。
发明内容
但是,这种以往的显示装置中存在如下问题:随着封闭层中所包括的无机膜因外部光而发生膜改性,导致有机发光元件的光学特性不良以及显示装置的可靠性降低。
本公开用于解决包括上述那样问题在内的各种问题,目的在于提供一种外部光引起的膜改性最小化的显示装置及其制造方法。但是,这种课题是示例性的,本公开的范围不限于此。
根据本公开的一观点,提供一种显示装置的制造方法,包括:在基板上形成绝缘无机膜的步骤;在所述绝缘无机膜上方形成显示要件的步骤;在所述显示要件上形成第一密闭无机膜的步骤;向所述第一密闭无机膜上照射紫外线(UV)波长的光的步骤;以及在所述第一密闭无机膜上形成密闭有机膜的步骤。
根据本实施例,可以是,所述显示装置的制造方法还包括:在所述密闭有机膜上形成第二密闭无机膜的步骤;以及向所述第二密闭无机膜上照射紫外线(UV)波长的光的步骤。
根据本实施例,可以是,向所述第一密闭无机膜上照射紫外线(UV)波长的光的步骤是,在所述第一密闭无机膜中产生氢气(H2)的步骤。
根据本实施例,可以是,与所述绝缘无机膜相比,所述第一密闭无机膜具有更少的氢(H)基含量。
根据本实施例,可以是,所述第一密闭无机膜包含氮化硅(SiNX)以及氮氧化硅(SiOXNY)中的至少一个。
根据本实施例,可以是,在向所述第一密闭无机膜上照射紫外线(UV)波长的光的步骤之后,所述第一密闭无机膜满足下述反应式1。
[反应式1]
N-Hx+Si-Hy→N-Hx-1+Si-Hy-1+H2
Si+N→Si-N
根据本实施例,可以是,所述第一密闭无机膜包含氧化硅(SiOX)。
根据本实施例,可以是,在向所述第一密闭无机膜上照射紫外线(UV)波长的光的步骤之后,所述第一密闭无机膜满足下述反应式2。
[反应式2]
O-Hx+Si-Hy→O-Hx-1+Si-Hy-1+H2
Si+O→Si-O
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





