[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，其中，包括：

在基板上形成绝缘无机膜的步骤；

在所述绝缘无机膜上方形成显示要件的步骤；

在所述显示要件上形成第一密闭无机膜的步骤；

向所述第一密闭无机膜上照射紫外线波长的光的步骤；以及

在所述第一密闭无机膜上形成密闭有机膜的步骤。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述显示装置的制造方法还包括：

在所述密闭有机膜上形成第二密闭无机膜的步骤；以及

向所述第二密闭无机膜上照射紫外线波长的光的步骤。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

向所述第一密闭无机膜上照射紫外线波长的光的步骤是，在所述第一密闭无机膜中产生氢气的步骤。

4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，

与所述绝缘无机膜相比，所述第一密闭无机膜具有更少的氢基含量。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述第一密闭无机膜包含氮化硅以及氮氧化硅中的至少一个。

6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，

在向所述第一密闭无机膜上照射紫外线波长的光的步骤之后，所述第一密闭无机膜满足下述反应式1，

[反应式1]

N-H_x+Si-H_y→N-H_x-1+Si-H_y-1+H₂

Si+N→Si-N。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述第一密闭无机膜包含氧化硅。

8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，

在向所述第一密闭无机膜上照射紫外线波长的光的步骤之后，所述第一密闭无机膜满足下述反应式2，

[反应式2]

O-H_x+Si-H_y→O-H_x-1+Si-H_y-1+H₂

Si+O→Si-O。

9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

在向所述第一密闭无机膜上照射紫外线波长的光的步骤之后，在紫外线波长区域中所述第一密闭无机膜的透射率上升。

10.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

向所述第一密闭无机膜上照射紫外线波长的光的步骤使用发出紫外线波长的光的灯或者等离子体方式。

11.一种显示装置，其中，具备：

基板；

像素电路层，配置在所述基板上，并包括绝缘无机膜以及薄膜晶体管；

显示要件，与所述薄膜晶体管电连接；以及

薄膜封闭层，配置在所述显示要件上，并包括第一密闭无机膜以及密闭有机膜，与所述绝缘无机膜相比，所述第一密闭无机膜具有更少的氢基含量。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，

所述薄膜封闭层还包括：

第二密闭无机膜，配置在所述密闭有机膜上，

与所述绝缘无机膜相比，所述第二密闭无机膜具有更少的氢基含量。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，

所述绝缘无机膜以及所述第一密闭无机膜包含氮化硅以及氮氧化硅中的至少一个。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，

与所述绝缘无机膜相比，所述第一密闭无机膜具有更少的N-H键以及Si-H键。