[发明专利]一种全压ESD结构和实现方法

权利要求书

1.一种全压ESD结构，包括用于构成ESD电路的MOS器件，其特征在于：MOS器件包括衬底、在衬底上形成的多晶栅极以及栅极两侧的掺杂源极区和掺杂漏极区；掺杂源极区和掺杂漏极区分别连通有一接触孔；其中，所述MOS器件的掺杂漏极区外围与衬底之间增设有轻掺杂结构，或者所述MOS器件的掺杂漏极区与其沟道之间增设有隔离结构或延长区；所述轻掺杂结构为掺杂浓度小于同型衬底或同型掺杂漏极区的掺杂结构层。

2.根据权利要求1所述的全压ESD结构，其特征在于：所述用于构成ESD电路的MOS器件中，其掺杂漏极区外围与衬底之间增设有与掺杂漏极区同型的所述轻掺杂结构。

3.根据权利要求2所述的全压ESD结构，其特征在于：NMOS管的P型衬底上形成多晶栅极和N掺杂源极区以及N掺杂漏极区；N掺杂漏极区的外侧包围有N型轻掺杂结构，使得该漏极区与P型衬底之间接触结构为N型轻掺杂结构；N型轻掺杂结构的掺杂浓度小于所述N掺杂漏极区；

PMOS管的N型衬底上形成多晶栅极和P掺杂源极区以及P掺杂漏极区；PMOS管的P掺杂漏极区外侧包围P型轻掺杂结构，使得该漏极区与N型衬底的接触结构为P型轻掺杂结构。

4.根据权利要求1所述的全压ESD结构，其特征在于：所述用于构成ESD电路的MOS器件中，掺杂漏极区外围与衬底之间增设有与衬底同型的轻掺杂结构。

5.根据权利要求4所述的全压ESD结构，其特征在于：NMOS管的P型衬底上形成多晶栅极和N掺杂源极区以及N掺杂漏极区，在N掺杂漏极区的外侧包围比P衬底更淡的P型轻掺杂结构，使P型衬底与N掺杂漏极区的接触结构为P型轻掺杂结构；

PMOS管的N型衬底上形成多晶栅极和P掺杂源极区以及P掺杂漏极区，P掺杂漏极区外侧包围比N型衬底更淡的N型轻掺杂结构，使该漏极区与N型衬底的接触结构为N型轻掺杂结构。

6.根据权利要求1所述的全压ESD结构，其特征在于：用于构成ESD电路的MOS器件中，掺杂漏极区与其沟道之间增设的隔离结构为氧化物隔离结构。

7.根据权利要求6所述的全压ESD结构，其特征在于：NMOS管的P型衬底上形成多晶栅极和N掺杂源极区以及N掺杂漏极区；在N掺杂漏极区与沟道之间设置氧化物进行隔离；

PMOS管的N型衬底上形成多晶栅极和P掺杂源极区以及P掺杂漏极区，P掺杂漏极区与沟道之间设置氧化物进行隔离。

8.根据权利要求1所述的全压ESD结构，其特征在于：用于构成ESD电路的MOS器件中，其掺杂漏极区与其沟道之间增加延长区，延长区为衬底延长区；

NMOS管的P型衬底上形成多晶栅极和N掺杂源极区以及N掺杂漏极区；该漏极区与其沟道之间增加延长区，增加P衬底的长度以延长漏极区与沟道之间的距离长度；

在PMOS管的N型衬底上形成多晶栅极和P掺杂源极区以及P掺杂漏极区，P掺杂漏极区与沟道之间增加延长区，增加PMOS管N衬底的长度以延长漏极区与沟道之间的距离长度。

9.根据权利要求1-8任一项所述的全压ESD结构，其特征在于：所述MOS器件中，将掺杂漏极区长度加大，同时在掺杂漏极区上形成金属硅化物阻挡层。

10.一种权利要求1-8任一项所述全压ESD结构的实现方法，其特征在于，包括：对用于构成ESD电路的MOS器件，在其掺杂漏极区外围与衬底之间增加轻掺杂结构，或者所述MOS器件的掺杂漏极区与其沟道之间增设隔离结构或延长区；其中所述轻掺杂结构为掺杂浓度小于同型衬底或同型掺杂漏极区的掺杂结构层。