[发明专利]用于可拉伸电子装置的基底及其制备方法

权利要求书

1.一种用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，包括：

弹性衬底，所述弹性衬底由第一子弹性衬底、以及覆盖于所述第一子弹性衬底表面的第二子弹性衬底共同构成；

底层应变缓冲层，位于所述第一子弹性衬底朝向所述第二子弹性衬底的表面，且所述第二子弹性衬底覆盖所述底层应变缓冲层；

顶层应变缓冲层，贴附于所述第二子弹性衬底背离所述第一子弹性衬底的表面，且与所述底层应变缓冲层对准设置，所述顶层应变缓冲层形成在所述弹性衬底用于制造器件岛区域的表面；

所述底层应变缓冲层的杨氏模量和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量。

2.根据权利要求1所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述弹性衬底的杨氏模量为0.1MPa～5MPa；

所述弹性衬底的材料为聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、SEBs或者Ecoflex。

3.根据权利要求1所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述底层应变缓冲层的数量为多个，且多个所述底层应变缓冲层沿平行于所述弹性衬底的方向依次排列；

所述顶层应变缓冲层的数量为多个，多个所述顶层应变缓冲层与多个所述底层应变缓冲层一一对准，且多个所述顶层应变缓冲层沿平行于所述弹性衬底的方向依次排列。

4.根据权利要求3所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述底层应变缓冲层和与其对应的所述顶层应变缓冲层之间的距离小于或者等于基底总厚度的二分之一，所述基底总厚度为所述弹性衬底的厚度与所述顶层应变缓冲层的厚度之和。

5.根据权利要求3所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述底层应变缓冲层的面积大于所述顶层应变缓冲层的面积。

6.根据权利要求1所述的用于可拉伸电子装置的基底，其特征在于，所述底层应变缓冲层和所述顶层应变缓冲层的杨氏模量均大于5MPa；所述底层应变缓冲层和所述顶层应变缓冲层的材料均为聚氨酯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸类塑料、聚萘二甲酸乙二醇酯、SU8光刻胶、或PI光刻胶。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述的用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成内部嵌入有底层应变缓冲层的弹性衬底，所述底层应变缓冲层的杨氏模量大于所述弹性衬底的杨氏模量；

形成贴附于所述弹性衬底表面、且与所述底层应变缓冲层对准的顶层应变缓冲层，所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于所述弹性衬底的杨氏模量，且所述顶层应变缓冲层的杨氏模量大于或等于所述底层应变缓冲层的杨氏模量；

形成内部嵌入有底层应变缓冲层的弹性衬底的步骤包括：

提供一玻璃衬底，所述玻璃衬底表面具有一剥离层；

形成第一子弹性衬底于所述剥离层表面；

形成底层应变缓冲层于部分所述第一子弹性衬底表面；

形成覆盖所述底层应变缓冲层和所述第一子弹性衬底的第二子弹性衬底，所述第二子弹性衬底的材料与所述第一子弹性衬底的材料相同，所述第一子弹性衬底和所述第二子弹性衬底共同构成所述弹性衬底。

8.根据权利要求7所述的用于可拉伸电子装置的基底的制备方法，其特征在于，所述底层应变缓冲层的数量为多个，所述顶层应变缓冲层的数量为多个，形成多个所述底层应变缓冲层和多个所述顶层应变缓冲层的步骤包括：利用第一掩膜在第一子弹性衬底表面对沉积的底层应变缓冲材料进行光刻、刮涂或喷涂后获得多个所述底层应变缓冲层，以及利用第二掩膜在第二子弹性衬底表面对沉积的顶层应变缓冲层材料进行光刻、刮涂或喷涂后获得多个所述顶层应变缓冲层；或者

将切割好的多个底层应变缓冲层贴合到第一子弹性衬底表面、以及将切割好的多个顶层应变缓冲层贴合到第二子弹性衬底表面。