[发明专利]NOR FLASH芯片及在其擦除过程中消除过擦除的方法

权利要求书

1.一种在NOR FLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法，其特征在于，所述在NORFLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法包括：

当NOR FLASH芯片接收到擦除命令时，检测所述擦除命令是否为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令；

若所述擦除命令为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令，则从NOR FLASH芯片中的第一个存储块开始依次对每个存储块进行过擦除修复以及弱写入及验证操作，直至完成对NOR FLASH芯片中的最后一个存储块的过擦除修复以及弱写入及验证操作；

在完成对NOR FLASH芯片中所有存储块的过擦除修复以及弱写入及验证操作后，对所述擦除命令对应的目标存储块进行预写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的预写入及验证操作后，对所述目标存储块进行擦除操作，在完成对所述目标存储块的擦除操作后，对所述目标存储块进行过擦除修复，在完成对所述目标存储块的过擦除修复操作后，对所述目标存储块进行弱写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的弱写入及验证操作后，从所述NOR FLASH芯片的所有存储块中确定一个非目标存储块，对所述非目标存储块进行弱块修复。

2.如权利要求1所述的在NOR FLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法，其特征在于，所述检测所述擦除命令是否为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令包括：

检测第一次擦除信号是否为高电平；

当所述第一次擦除信号为高电平时，确定所述擦除命令为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令；

当所述第一次擦除信号为低电平时，确定所述擦除命令不为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令；

其中，在NOR FLASH芯片上电后，所述第一次擦除信号为高电平，在NOR FLASH芯片执行完第一次擦除命令对应的擦除操作后，所述第一次擦除信号由高电平变为低电平。

3.如权利要求2所述的在NOR FLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法，其特征在于，在所述检测所述擦除命令是否为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令之后，还包括：

若所述擦除命令不为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令，则对所述擦除命令对应的目标存储块进行预写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的预写入及验证操作后，对所述目标存储块进行擦除操作，在完成对所述目标存储块的擦除操作后，对所述目标存储块进行过擦除修复，在完成对所述目标存储块的过擦除修复操作后，对所述目标存储块进行弱写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的弱写入及验证操作后，从所述NORFLASH芯片的所有存储块中确定一个非目标存储块，对所述非目标存储块进行弱块修复。

4.一种NOR FLASH芯片，其特征在于，所述NOR FLASH芯片包括：

检测模块，用于当NOR FLASH芯片接收到擦除命令时，检测所述擦除命令是否为NORFLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令；

修复模块，用于若所述擦除命令为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令，则从NOR FLASH芯片中的第一个存储块开始依次对每个存储块进行过擦除修复以及弱写入及验证操作，直至完成对NOR FLASH芯片中的最后一个存储块的过擦除修复以及弱写入及验证操作；

擦除模块，用于在完成对NOR FLASH芯片中所有存储块的过擦除修复以及弱写入及验证操作后，对所述擦除命令对应的目标存储块进行预写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的预写入及验证操作后，对所述目标存储块进行擦除操作，在完成对所述目标存储块的擦除操作后，对所述目标存储块进行过擦除修复，在完成对所述目标存储块的过擦除修复操作后，对所述目标存储块进行弱写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的弱写入及验证操作后，从所述NOR FLASH芯片的所有存储块中确定一个非目标存储块，对所述非目标存储块进行弱块修复。