[发明专利]一种微发光二极管的修复方法在审
申请号: | 202010244066.0 | 申请日: | 2020-03-31 |
公开(公告)号: | CN113471346A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 盛翠翠;夏继业;田文亚;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 魏朋 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 修复 方法 | ||
本发明提供了一种微发光二极管的修复方法,包括:清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料;将带有焊料合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处。此微发光二极管的修复方法无需设置冗余电路和冗余焊点,也无需在坏点位置区域处重新制备焊料,能够有效缩短工艺时间,节省工艺成本,降低工艺难度,进一步有效保证了显示面板的发光效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及了一种微发光二极管的修复方法。
背景技术
微发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)显示面板因其寿命长、色域广、亮度高、发光效率高等优点,逐渐成为面板行业研究热点。
在实际的生产和应用过程中,当发现微发光二极管损坏时,由于微发光二极管的尺寸较小,且为了实现高PPI(Pixels Per Inch,像素密度)而设置的微发光二极管之间的间距小,导致微发光二极管的修复工艺难度较大,现有技术中尚无较好的微发光二极管修复的方法,急需研究一种新的修复方法。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种微发光二极管的修复方法,以改善现有修复工艺难度大的问题。
本发明一实施例中提供了一种微发光二极管的修复方法,包括:清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料;将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处。
在一个实施例中,所述清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤,包括:采用激光技术清理所述坏点位置的所述微发光二极管芯片和所述焊料。激光技术能量稳定,工艺均匀性好,加工质量高。
在一个实施例中,所述焊料包括金属材料或有机胶,金属材料延展性好,有机胶可以保护微发光二极管芯片在后续的工艺步骤中免受损害,本实施例提供了焊料的多种可实施方式。
在一个实施例中,所述金属材料包括铟金属、锡金属或合金;优选地,所述合金包括铟锡锑合金、铟锡合金或铟锡铜合金。提供多种可选择的金属材料将微发光二极管芯片更稳定的邦定在背板上。
在一个实施例中,所述有机胶包括ACF或SAP。有机胶可以将微发光二极管芯片的电极包裹住,避免在后续邦定过程中用力过大损坏电极结构。
在一个实施例中,所述金属材料的厚度为3-7微米,或所述有机胶的厚度为3-10微米。在本实施例中分别提供了焊料和有机胶的厚度,确保了合格的微发光二极管芯片能够牢固的邦定在背板上。
在一个实施例中,在所述清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤之前,还包括:检测出所述坏点位置。准确知道坏点位置的具体坐标,便于后续操作的实施。
在一个实施例中,所述检测出所述坏点位置的步骤包括:采用紫外线检测、PL+AOI检测、接触式光电检测技术或者点屏下拍照检测的方式检测出所述坏点位置。能够精确的检测出坏点位置,本实施例提供了多种检测坏点位置的方式,具体可根据实际需求进行设定。
在一个实施例中,在所述清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤中包括:采用转移头将所述坏点位置的所述微发光二极管芯片转移走;和/或,在所述将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处的步骤中包括:采用转移头将所述合格的微发光二极管芯片转移至所述坏点位置处。利用转移头对微发光二极管芯片进行转移操作,步骤方便快捷,同时还节约成本。
在一个实施例中,在所述将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处的步骤之后,还包括:检测所述合格的微发光二极管芯片是否固定牢固以及是否能正常发光以确定修复是否成功。确保背板上的所有微发光二极管均可以正常显示。
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