[发明专利]一种微发光二极管的修复方法

权利要求书

1.一种微发光二极管的修复方法，其特征在于，包括：

清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料；

将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述清理坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤，包括：

采用激光技术清理位于所述坏点位置的所述微发光二极管芯片和所述焊料。

3.根据权利要求1或2所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述焊料包括金属材料或有机胶。

4.根据权利要求3所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述金属材料包括铟金属、锡金属或合金；优选地，所述合金包括铟锡锑合金、铟锡合金或铟锡铜合金。

5.根据权利要求3所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述有机胶包括ACF或SAP。

6.根据权利要求3-5任一项所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述金属材料的厚度为3-7微米，或所述有机胶的厚度为3-10微米。

7.根据权利要求1-6任一项所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，在所述清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤之前，还包括：

检测出所述坏点位置。

8.根据权利要求7所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，所述检测出所述坏点位置的步骤包括：

采用紫外线检测、PL+AOI检测、接触式光电检测技术或者点屏下拍照检测的方式检测出所述坏点位置。

9.根据权利要求8所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，在所述清理位于坏点位置的微发光二极管芯片和焊料的步骤中包括：采用转移头将所述位于坏点位置的所述微发光二极管芯片转移走；

和/或，在所述将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处的步骤中包括：采用转移头将所述合格的微发光二极管芯片转移至所述坏点位置处。

10.根据权利要求9所述的微发光二极管的修复方法，其特征在于，在所述将带有焊料的合格的微发光二极管芯片邦定在背板上的所述坏点位置处的步骤之后，还包括：

检测所述合格的微发光二极管芯片是否固定牢固以及是否能正常发光以确定修复是否成功。