[发明专利]显示基板及其制造方法、显示面板和电子设备有效
申请号: | 202010229374.6 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN111415947B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 宋德雄;胡令 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84;G09F9/33 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影;朱惠琴 |
地址: | 523860 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 面板 电子设备 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
柔性基底以及设置于所述柔性基底上的至少两个子像素,所述至少两个子像素呈行列方式排布,每个所述子像素包括驱动电路和发光元件;其中,所述驱动电路所在的膜层包括:
至少一层无机层,设置于所述柔性基底上,其中,至少部分相邻的所述子像素的驱动电路之间设置有间隔区,所述相邻的所述子像素包括以下至少一项:相邻行的所述子像素、相邻列的所述子像素,所述无机层在所述间隔区开设有沟槽;
有机层,所述有机层填充于所述沟槽内;
所述间隔区设置于相邻的驱动电路组之间,所述驱动电路组由以下驱动电路中之一组成:相邻的N行所述子像素的驱动电路、相邻的M列所述子像素的驱动电路;
在将所述相邻的N行所述子像素的驱动电路合并为一个单元行,且所述间隔区设置于相邻的所述单元行之间的情况下,每一行发光元件之间的距离相等,其中,每一行的所述驱动电路到发光元件的阳极走线经过了渐变处理;
在将所述相邻的M列的所述子像素的驱动电路组成单元列,且所述间隔区设置于相邻的所述单元列之间的情况下,每一列发光元件之间的距离相等,其中,每一列的所述驱动电路到发光元件的阳极走线经过了渐变处理;
其中,N和M均为正整数。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,每相邻目标子像素的所述发光元件之间的距离相等,所述相邻目标子像素为以下至少一项:相邻行的所述子像素、相邻列的所述子像素。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少两个子像素中包括第一子像素,所述第一子像素的驱动电路与所述间隔区相邻,所述第一子像素的发光元件设置于所述间隔区内。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述驱动电路所在的膜层还包括:金属走线层,所述金属走线层设置于所述有机层上。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述驱动电路所在的膜层还包括:
第一金属走线层,所述第一金属走线层设置于所述有机层上;
绝缘层,所述绝缘层设置于所述第一金属走线层上;
第二金属走线层,所述第二金属走线层设置于所述绝缘层上。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述驱动电路所在的膜层还包括:阳极层;
所述阳极层的至少部分设置于所述间隔区内,所述阳极层用于电连接每个所述第一子像素的发光元件和驱动电路。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-6中任一项所述的显示基板。
8.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种显示基板的制造方法,其特征在于,所述显示基板包括:柔性基底以及设置于所述柔性基底上的至少两个子像素,所述至少两个子像素呈行列方式排布,每个所述子像素包括驱动电路和发光元件;至少部分相邻的所述子像素的驱动电路之间具有间隔区,所述相邻的所述子像素包括以下至少之一:相邻行的所述子像素、相邻列的所述子像素;
所述方法包括:
在柔性基底上形成无机层;
去除所述间隔区内的无机层,形成沟槽;
在所述沟槽内填充有机层,以形成所述驱动电路所在的膜层;
所述间隔区设置于相邻的驱动电路组之间,所述驱动电路组由以下驱动电路中之一组成:相邻的N行所述子像素的驱动电路、相邻的M列所述子像素的驱动电路;
在将所述相邻的N行所述子像素的驱动电路合并为一个单元行,且所述间隔区设置于相邻的所述单元行之间的情况下,对每一行的所述驱动电路到发光元件的阳极走线进行渐变处理,以使每一行发光元件之间的距离相等;
在将所述相邻的M列的所述子像素的驱动电路组成单元列,且所述间隔区设置于相邻的所述单元列之间的情况下,对每一列的所述驱动电路到发光元件的阳极走线进行渐变处理,以使每一列发光元件之间的距离相等;
其中,N和M均为正整数。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在所述沟槽内填充有机层之后,还包括:
在所述无机层上形成阳极层,所述阳极层的至少部分位于所述间隔区内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的