[发明专利]用于图像传感器封装的可控制的间隙高度在审
申请号: | 202010224657.1 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111799283A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 吴文进 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 封装 控制 间隙 高度 | ||
本发明题为“用于图像传感器封装的可控制的间隙高度”。根据一个方面,图像传感器封装包括透明构件、衬底以及插入件,该插入件设置在该透明构件和该衬底之间并耦接到该透明构件和该衬底,其中该插入件限定第一腔体区域和第二腔体区域。图像传感器封装包括图像传感器管芯,该图像传感器管芯设置在插入件的第一腔体区域内,其中图像传感器管芯具有传感器阵列,该传感器阵列被配置为接收穿过透明构件和第二腔体区域的光。图像传感器封装包括粘结材料,该粘结材料将图像传感器管芯在第一腔体区域内耦接到插入件。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月9日提交的美国非临时申请No.16/506,442的权益,该美国非临时申请要求于2019年4月3日提交的美国临时专利申请No.62/828,764的优先权和权益,每份申请的全部内容以引用方式并入本文。
技术领域
本说明书涉及具有可控间隙高度的图像传感器封装。
背景技术
图像传感器封装通常用于有着广泛应用的相机模块中。图像传感器封装可包括覆盖玻璃,该覆盖玻璃以在传感器器件的有效区域和覆盖玻璃的内表面之间存在间隙的方式耦接到传感器器件。在一些示例中,使用粘结材料将传感器器件耦接到覆盖玻璃,并且该粘结材料的尺寸可限定间隙高度。
发明内容
根据一个方面,图像传感器封装包括透明构件、衬底以及插入件,该插入件设置在透明构件和衬底之间并耦接到透明构件和衬底,其中该插入件限定第一腔体区域和第二腔体区域。图像传感器封装包括图像传感器管芯(die),该图像传感器管芯设置在插入件的第一腔体区域内,其中该图像传感器管芯具有传感器阵列,该传感器阵列被配置为接收穿过透明构件和第二腔体区域的光。图像传感器封装包括粘结材料,该粘结材料将图像传感器管芯在第一腔体区域内耦接到插入件。
根据一些方面,图像传感器封装包括以下特征中的一个或多个特征(或它们的任何组合)。第二腔体区域可限定在透明构件和传感器阵列之间的空的空间的至少一部分。衬底可为重新分布层。透明构件可使用次级粘结材料耦接到插入件。图像传感器管芯可包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。图像传感器管芯可电连接到衬底。图像传感器管芯可限定一个或多个导电通孔。图像传感器封装可包括导电迹线以及导电部件,该导电迹线在第一腔体区域内耦接到插入件,该导电部件耦接到导电迹线和图像传感器管芯,其中该导电迹线延伸至衬底。图像传感器封装可包括耦接到衬底的多个导电部件。图像传感器封装可包括耦接到衬底的器件、次级衬底以及在衬底和次级衬底之间延伸的模塑件。可将器件以倒装芯片配置耦接到衬底。
根据一个方面,图像传感器封装包括透明构件、衬底以及插入件,该插入件设置在透明构件和衬底之间并耦接到透明构件和衬底,其中该插入件限定腔体区域。图像传感器封装包括图像传感器管芯以及粘结材料,该图像传感器管芯设置在插入件的腔体区域内,该粘结材料将图像传感器管芯在腔体区域内耦接到插入件,其中在图像传感器管芯的传感器阵列和透明构件之间的距离限定间隙高度,其中该间隙高度基于插入件的尺寸。图像传感器管芯可包括互连层、传感器衬底层和重新分布层,其中该传感器衬底层限定一个或多个导电通孔。图像传感器封装包括在第一腔体区域内耦接到插入件的导电迹线,以及耦接到导电迹线和图像传感器管芯的导电部件,其中该导电迹线延伸至衬底。衬底包括第一表面和第二表面,其中衬底的第一表面耦接到图像传感器管芯,并且图像传感器封装可包括耦接到衬底的第二表面的器件。衬底为第一衬底,并且图像传感器封装包括第二衬底以及设置在第一衬底和第二衬底之间的模塑件,其中该模塑件包封器件。图像传感器封装可包括延伸穿过模塑件的一个或多个导电通孔。可利用次级粘结材料将插入件耦接到透明构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的