[发明专利]用于图像传感器封装的可控制的间隙高度在审
申请号: | 202010224657.1 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN111799283A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 吴文进 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 图像传感器 封装 控制 间隙 高度 | ||
1.一种图像传感器封装,包括:
透明构件;
衬底;
插入件,所述插入件设置在所述透明构件和所述衬底之间并耦接到所述透明构件和所述衬底,所述插入件限定第一腔体区域和第二腔体区域;
图像传感器管芯,所述图像传感器管芯设置在所述插入件的所述第一腔体区域内,所述图像传感器管芯具有传感器阵列,所述传感器阵列被配置为接收穿过所述透明构件和所述第二腔体区域的光;和
粘结材料,所述粘结材料将所述图像传感器管芯在所述第一腔体区域内耦接到所述插入件。
2.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述第二腔体区域限定在所述透明构件和所述传感器阵列之间的空的空间的至少一部分,其中所述衬底为重新分布层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述透明构件使用第二粘结材料耦接到所述插入件,其中所述图像传感器管芯包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,其中所述图像传感器管芯电连接到所述衬底,其中所述图像传感器管芯限定一个或多个导电通孔。
4.根据权利要求1所述的图像传感器封装,还包括:
导电迹线,所述导电迹线在所述第一腔体区域内耦接到所述插入件,所述导电迹线延伸至所述衬底;
导电部件,所述导电部件耦接到所述导电迹线和所述图像传感器管芯;
多个导电部件,所述多个导电部件耦接到所述衬底。
5.根据权利要求1所述的图像传感器封装,还包括:
器件,所述器件耦接到所述衬底,其中所述器件以倒装芯片配置耦接到所述衬底;
第二衬底;和
模塑件,所述模塑件在所述衬底和所述第二衬底之间延伸。
6.一种图像传感器封装,包括:
透明构件;
衬底;
插入件,所述插入件设置在所述透明构件和所述衬底之间并且耦接到所述透明构件和所述衬底,所述插入件限定腔体区域;
图像传感器管芯,所述图像传感器管芯设置在所述插入件的所述腔体区域内,其中在所述图像传感器管芯的传感器阵列和所述透明构件之间的距离限定间隙高度,所述间隙高度基于所述插入件的尺寸;和
粘结材料,所述粘结材料将所述图像传感器管芯在所述腔体区域内耦接到所述插入件。
7.根据权利要求6所述的图像传感器封装,其中所述图像传感器管芯包括互连层、传感器衬底层和重新分布层,所述传感器衬底层限定一个或多个导电通孔,其中所述插入件利用第二粘结材料耦接到所述透明构件,其中所述图像传感器封装还包括:
导电迹线,所述导电迹线在所述第一腔体区域内耦接到所述插入件,所述导电迹线延伸至所述衬底;
导电部件,所述导电部件耦接到所述导电迹线和所述图像传感器管芯。
8.根据权利要求6所述的图像传感器封装,其中所述衬底为第一衬底,所述第一衬底包括第一表面和第二表面,所述第一衬底的所述第一表面耦接到所述图像传感器管芯,所述图像传感器封装还包括:
器件,所述器件耦接到所述第一衬底的所述第二表面;
第二衬底;
模塑件,所述模塑件设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间,所述模塑件封装所述器件;和
一个或多个导电通孔,所述一个或多个导电通孔延伸穿过所述模塑件。
9.一种用于组装图像传感器封装的方法;
形成具有腔体区域的插入件;
使用第一粘结材料将透明构件耦接到所述插入件;
将图像传感器管芯设置在所述腔体区域内;
将第二粘结材料施加到在所述图像传感器管芯的边缘和由所述腔体区域限定的所述插入件的一部分之间的间隙,
其中所述插入件的高度至少部分地限定在所述透明构件和所述图像传感器的感测阵列之间的距离。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括:
将金属迹线部分施加到由所述腔体区域限定的所述插入件的所述部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的