[发明专利]半导体设备

说明书

本发明提供一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。通过本发明，减小了工艺腔室之间由于电磁环境差异导致的干扰。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体设备。

背景技术

目前，高频电路工作时，会向外辐射电磁波从而对邻近的设备产生干扰，此外，空间的各种电磁波会感应到电路中，对电路本身造成干扰。电磁屏蔽的作用就是切断电磁波的传播途径，进而消除干扰。

半导体设备中，采用共有气道、共有下电极结构的腔室能够节约成本，但是个工艺腔室并不是完全一致的，在进行工艺时，各工艺腔室中的电磁环境还是会有差异的。由于各工艺腔室之间有共有气道且公用下电极结构，会导致各工艺腔室互相造成干扰。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，还包括：电磁屏蔽组件，电磁屏蔽组件在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。

优选地，所述工艺腔室中设置有下电极组件；

所述电磁屏蔽组件包括：环绕所述下电极组件且接地的下电极屏蔽组件，用于屏蔽所述下电极组件辐射的电磁波。

优选地，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽环，所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述下电极组件的外周壁和所述工艺腔室的内周壁相接触，并且在所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。

优选地，所述屏蔽环的顶面与所述下电极组件的顶面相平齐。

优选地，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽筒；

所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上。

优选地，所述屏蔽筒完全覆盖所述下电极组件的外周壁。

优选地，所述下电极屏蔽组件还包括：屏蔽环和屏蔽筒，其中，所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上；

所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述屏蔽筒的外周壁和所述腔室的内周壁相接触，并且，所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。

优选地，所述屏蔽环的顶面、所述屏蔽筒的顶面和所述下电极组件的顶面相平齐。

优选地，所述电磁屏蔽组件包括：

屏蔽板，设置在所述共有气道的至少一个端口处，或者设置在所述共有气道内部，用于屏蔽通过所述共有气道的电磁波，所述屏蔽板上开设有多个通气孔。

优选地，所述半导体设备还包括：匀流环，设置在所述屏蔽环的上方或下方，与所述屏蔽环同轴设置。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的半导体设备，针对通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，在至少一个工艺腔室和/或所述共有气道中设置电磁屏蔽组件，且电磁屏蔽组件可屏蔽电磁波通过共有气道在工艺腔室之间传播。由此，可以使电磁屏蔽组件所在的工艺腔室在工作时，不会受到其他工艺腔室的干扰，也不会干扰到其他工艺腔室，减小了各工艺腔室之间的相互干扰。

附图说明

图1为本发明实施例提供的半导体设备的结构示意图；

图2为本发明第一个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；

图3为本发明第二个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；