[发明专利]半导体设备有效
| 申请号： | 202010213446.8 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111211033B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 王丽萍 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
1.一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，其特征在于，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺腔室中设置有下电极组件；
所述电磁屏蔽组件包括：环绕所述下电极组件设置且接地的下电极屏蔽组件，用于屏蔽所述下电极组件辐射的电磁波。
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽环，所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述下电极组件的外周壁和所述工艺腔室的内周壁相接触，并且，在所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。
4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，
所述屏蔽环的顶面与所述下电极组件的顶面相平齐。
5.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽筒，所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上。
6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述屏蔽筒完全覆盖所述下电极组件的外周壁。
7.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽环和屏蔽筒，其中，
所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上；
所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述屏蔽筒的外周壁和所述腔室的内周壁相接触，并且，所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。
8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述屏蔽环的顶面、所述屏蔽筒的顶面和所述下电极组件的顶面相平齐。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述电磁屏蔽组件包括：
屏蔽板，设置在所述共有气道的至少一个端口处，或者设置在所述共有气道内部，用于屏蔽通过所述共有气道的电磁波，所述屏蔽板上开设有多个通气孔。
10.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，还包括：匀流环，设置在所述屏蔽环的上方或下方，与所述屏蔽环同轴设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010213446.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
