[发明专利]三维存储器及三维存储器制作方法

说明书

本发明属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维存储器及三维存储器制作方法。本发明旨在解决相关技术中沟道结构受力较大，容易造成沟道结构损坏的问题。该三维存储器包括衬底和堆叠结构；堆叠结构包括多个导电层和多个绝缘层；堆叠结构设置有多个沟道孔，沟道孔内设置有沟道结构；堆叠结构还设置有多个虚设孔，多个虚设孔位于各沟道孔之间，每个虚设孔的孔底与一个导电层接触；各虚设孔内均设置有连接线，连接线朝向衬底的一端与该连接线所在的虚设孔的孔底对应的导电层接合。如此设置，每一导电层均可以通过对应的连接线与外围器件连接；无需设置阶梯区，避免了因在阶梯区内填充绝缘填充物而导致的沟道结构受力，进而防止沟道结构损坏。

技术领域

本发明涉及存储设备技术领域，尤其涉及一种三维存储器及三维存储器制作方法。

背景技术

随着存储设备技术的逐渐发展，三维储存器以其较高的存储能力以及较快的读取和写入速度被广泛的应用。

相关技术中，三维存储器包括由绝缘层和导电层交替堆叠形成的堆叠结构。堆叠结构包括核心区以及位于核心区外侧的阶梯区，核心区内具有沿堆叠方向延伸的沟道孔，沟道孔内设置沟道结构，沟道结构与导电层之间构成存储单元，以存储数据。阶梯区内绝缘层和导电层呈阶梯状，阶梯区内设置有沿堆叠方向延伸的连接线，每一连接线与一个导电层电连接，通过连接线实现各导电层与外围器件之间的连接；在阶梯区内还设置有绝缘填充物，绝缘填充物填充在阶梯区内，且包围各连接线，以使整个堆叠结构大体呈板状。

然而，由于阶梯区体积较大，相应的填充在阶梯区内的绝缘填充物的体积也较大，在绝缘填充物填充在阶梯区后，绝缘填充物对堆叠结构的核心区的应力较大，容易导致核心区变形，使得沟道结构损坏。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种三维存储器及三维存储器制作方法，以解决沟道结构受力较大，容易造成沟道结构损坏的技术问题。

本发明实施例提供了一种三维存储器包括：衬底和设置在衬底上的堆叠结构；堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个导电层和多个绝缘层；堆叠结构设置有多个沟道孔，沟道孔沿第一方向贯穿各导电层和各绝缘层，沟道孔内设置有沟道结构；堆叠结构还设置有多个虚设孔，多个虚设孔位于各沟道孔之间，多个虚设孔沿第一方向向衬底延伸，且每个虚设孔的孔底与一个导电层接触；各虚设孔内均设置有连接线，连接线的朝向衬底的一端与该连接线所在的虚设孔的孔底对应的导电层接合，且连接线与被该连接线贯穿的导电层之间绝缘。

具有上述结构的三维存储器，连接线朝向衬底的一端与该连接线所在的虚设孔孔底对应的导电层接合，使得每一导电层均可以通过对应的连接线与外围器件连接；与在堆叠结构上设置阶梯区，导电层通过阶梯区内的接触线与外围器件连接相比，本发明实施例提供的三维存储器中，无需设置阶梯区，因此也就无需在阶梯区设置填充绝缘物，避免了因在阶梯区内填充绝缘填充物而导致的沟道结构受力较大的问题，进而可以防止沟道结构损坏。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，相邻的两个沟道孔之间设置有一个虚设孔。如此设置，可以保证虚设孔具有足够大的截面面积。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，同一导电层与多个虚设孔的孔底接触。如此设置，可以提高导电层的电压均匀性，并且可以减小三维存储器的延迟；另外，还可以便于三维存储的布线。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，虚设孔相对于垂直于衬底的平面对称设置。如此设置可以提高虚设孔的均匀性。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，各虚设孔呈阵列设置，各沟道孔呈阵列设置，相邻的两列沟道孔之间设有一列虚设孔。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，位于同一列的各虚设孔的深度相同。如此设置，同一列虚设孔内的各连接线连接同一导电层。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，沿堆叠结构的中心至边缘的方向，各虚设孔的深度梯次减小。