[发明专利]一种半导体器件的形成方法

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，通过在立式退火炉的反应腔的上端通入少量氧气，达到控制立式退火炉的反应腔中的氧气浓度较为均匀的效果。避免了装载过程中进件口附近的空气中存在残余氧气导致反应腔底部存在氧气，而反应腔顶部没有氧气，使反应腔内的氧气浓度不一致以及各前端器件装载时间不同导致的氧化层厚度不均一。使各前端器件的多晶硅薄膜表面都形成较为一致的氧化层。避免退火过程中离子溢出而导致多晶硅薄膜的阻值的一致性差的缺陷。因此，能够提高各多晶硅薄膜的阻值的一致性，进而能够提高半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的性能还需要提高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法，以提高半导体器件的性能。

本发明实施例提供一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

提供多个前端器件；

在所述前端器件上形成多晶硅薄膜；

对所述多晶硅薄膜进行离子注入，以调整所述多晶硅薄膜的阻值；以及

退火处理，以激活注入离子；

其中，所述退火处理为将依次叠置的多个离子注入后的前端器件放入通入氧气气氛的立式退火炉中保温预定时间。

进一步地，所述通入氧气气氛具体为：

在立式退火炉的上端通入气流量范围在100sccm-1000sccm的氧气。

进一步地，所述通入氧气气氛具体为：

在立式退火炉的上端通入气流量范围在300sccm-600sccm的氧气。

进一步地，所述依次叠置的离子注入后的多个前端器件间具有间隙。

进一步地，所述退火处理具体为：

从立式退火炉的底部依次放入依次叠置的离子注入后的各前端器件。

进一步地，所述退火处理的温度为600℃-800℃。

进一步地，所述多晶硅薄膜的材料为多晶硅。

进一步地，所述半导体器件为微控制单元。

在本发明实施例中，通过在立式退火炉的反应腔的上端通入氧气，达到控制立式退火炉的反应腔中的氧气浓度较均匀的效果。在各前端器件的多晶硅薄膜表面都形成厚度较均匀的氧化层。避免退火过程中离子溢出而导致多晶硅薄膜的阻值的一致性差的缺陷。因此，能够提高各多晶硅薄膜的阻值的一致性，进而能够提高半导体器件的性能。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是对比例的半导体器件的形成方法的立式退火炉的结构的示意图；

图2是本发明实施例的半导体器件的形成方法的流程图；

图3-图6是本发明实施例的半导体器件的形成方法的各步骤形成的结构的示意图。

具体实施方式

以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。