[发明专利]一种半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010176880.3 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN113394094B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈鸿奎;田三河;牛健;靳颖 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/265;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理有限公司 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 300000 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供多个前端器件；
在所述前端器件上形成多晶硅薄膜；
对所述多晶硅薄膜进行离子注入，以调整所述多晶硅薄膜的阻值；以及
退火处理，以激活注入离子；
其中，所述退火处理为将依次叠置的多个离子注入后的前端器件放入通入氧气气氛的立式退火炉中退火，其中，所述氧气通过所述立式退火炉的反应腔的上端通入以使得装载过程中反应腔中的氧气浓度一致。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述通入氧气气氛具体为：
在立式退火炉的上端通入气流量范围在100sccm-1000sccm的氧气。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述通入氧气气氛具体为：
在立式退火炉的上端通入气流量范围在300sccm-600sccm的氧气。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述依次叠置的离子注入后的多个前端器件间具有间隙。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述退火处理具体为：
从立式退火炉的底部依次放入依次叠置的离子注入后的各前端器件。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
所述退火处理的温度为600℃-800℃。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜的材料为多晶硅。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为微控制单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
