[发明专利]一种防止刮蹭台面的钝化结构及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010171990.0 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111341735B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈年;张龙;刘智;韩超 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 黄启兵 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 防止 台面 钝化 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种防止刮涂刀刮蹭台面的钝化结构，其特征在于，包括：
Si外延衬底，所述Si外延衬底上表面中部设置有台柱；
垫高层，设置于所述Si外延衬底上表面周缘，所述垫高层上表面高于所述台柱的上表面，所述垫高层从下至上依次包括二氧化硅层和氮化硅层。
2.一种如权利要求1所述的钝化结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1:在Si外延衬底上表面从下至上依次设置垫高层和光刻胶层；
S2:从上至下依次在步骤S1中的光刻胶层、垫高层和Si外延衬底中部开设沟槽，至Si外延衬底上形成所需台柱；
S3:去除所有光刻胶层及所述步骤S2中台柱上方的垫高层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：
S1.1:在Si外延衬底上表面生长二氧化硅层；
S1.2:在步骤S1.1中的二氧化硅层上表面生长氮化硅层；
S1.3:在步骤S1.2中的氮化硅层上表面匀布光刻胶,形成光刻胶层；
其中，二氧化硅层和氮化硅层共同构成垫高层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S1.1中的二氧化硅层层高为24000-25000埃。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：在步骤S1.2中的氮化硅层层高为1400-1500埃。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为：
S2.1:按台面刻蚀所需要的图形曝光步骤S1中的光刻胶层至曝出沟槽一，所述沟槽一的深度等于所述光刻胶层的高度；
S2.2:沿步骤2.1中曝出的沟槽一刻蚀所述步骤S1中的垫高层，至垫高层形成沟槽二，所述沟槽二深度等于所述垫高层的高度；
S2.3:沿步骤S2.2中的沟槽二刻蚀Si外延衬底，至Si外延衬底上形成所需高度的台柱。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：
S3.1:去除所有光刻胶；
S3.2:用热磷酸去除步骤S2.3中台柱上方的氮化硅层；
S3.3:用BOE腐蚀掉步骤S2.3中台柱上方的二氧化硅层。
8.一种使用如权利要求1所述的钝化结构的钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：
沿所述垫高层上表面用刮涂刀将玻璃乳浆刮涂至所述垫高层范围内，至玻璃乳浆包裹台柱周面及上表面。
9.根据权利要求8所述的钝化方法，其特征在于：刮涂后的玻璃乳浆上表面与所述垫高层上表面齐平。
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