[发明专利]一种电子设备的制备方法及装置、存储介质有效
申请号: | 202010167426.1 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111370450B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 贾玉虎 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 侯艳华;张颖玲 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子设备 制备 方法 装置 存储 介质 | ||
本发明实施例公开了一种电子设备的制备方法及装置、存储介质,包括将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接,其中,第一低温多晶硅玻璃的下表面和第二低温多晶硅玻璃的上表面连接;断开第一低温多晶硅玻璃与第二低温多晶硅玻璃之间的连接,并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接,第一导电胶膜为与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜,第二导电胶膜为与第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜;将覆晶薄膜与第一导电胶膜的第二面连接,第一导电胶膜的第一面与第一低温多晶硅玻璃的侧面连接,以完成电子设备的制备过程。
技术领域
本发明涉及窄边框显示技术领域,尤其涉及一种电子设备的制备方法及装置、存储介质。
背景技术
随着电子技术的不断发展,电子设备的显示屏边框越来越窄,即电子设备的低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon,LTPS)玻璃与encap玻璃之间的单层区的宽度就越小。
现有技术是将异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)贴附到覆晶薄膜(Chip OnFilm,COF)上,再对贴附在COF上的ACF进行三边内缩设计,然后通过三边内缩设计后的ACF将COF贴附在单层区的LTPS上,当贴附在COF上的ACF三边内缩过度时,ACF无法完全填充单层区的LTPS与COF之间的空隙,COF容易脱离单层区的LTPS,导致LTPS与COF之间无法通过ACF进行电信号传递,使得电子设备的显示屏无法正常显示,降低了电子设备的显示屏幕显示时的稳定性。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明实施例期望提供一种电子设备的制备方法及装置、存储介质,能够提高电子设备的显示屏幕显示时的稳定性。
本发明的技术方案是这样实现的:
本申请实施例提供了一种电子设备的制备方法,所述方法包括:
将异方性导电胶膜的第一面分别与第一低温多晶硅玻璃的侧面和第二低温多晶硅玻璃的侧面连接,其中,所述第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接;
断开所述第一低温多晶硅玻璃与所述第二低温多晶硅玻璃之间的连接,并断开第一导电胶膜和第二导电胶膜之间的连接,所述第一导电胶膜为与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜,所述第二导电胶膜为与所述第二低温多晶硅玻璃的侧面连接的部分异方性导电胶膜;
将覆晶薄膜与所述第一导电胶膜的第二面连接,所述第一导电胶膜的第一面与所述第一低温多晶硅玻璃的侧面连接,以完成所述电子设备的制备过程。
在上述方案中,第一低温多晶硅玻璃的下表面和所述第二低温多晶硅玻璃的上表面连接,包括:
将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间部分区域进行连接;
和/或,将所述第一低温多晶硅玻璃的下表面与所述第二低温多晶硅玻璃的上表面之间所有区域进行连接。
在上述方案中,异方性导电胶膜的宽度为根据所述第一低温多晶硅玻璃和所述第二低温多晶硅玻璃确定的宽度。
在上述方案中,所述覆晶薄膜包括集成电路。
在上述方案中,所述异方性导电胶膜包括导电粒子。
在上述方案中,所述第一低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
在上述方案中,所述第二低温多晶硅玻璃为低功耗的显示玻璃。
本申请实施例提供了一种电子设备的制备装置,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的